第二章TFT操作原理.ppt

若实际的画素布局并不是矩形，可将复杂的形状切割成矩形加以串联或并联，即可求得总电阻。 （2）等效电容的计算 以画素单元的电容等效电路来看，需要从这个电路上计算出画素在扫描线上的等效电容，方法是除了扫描线本身以外的其它信号源都视为接地。一般而言，存储电容 和液晶电容 远大于TFT的寄生电容和扫描线至画素电极的寄生电容 ，所以当TFT关闭时， 和 与 ， ， ， ， 等电容串接到接地点， 和 直接接到接地点，若TFT是打开的， 和 会经由TFT的通道连接至资料线，因此其电容效应也可被视为接到接地点，同理，由于扫描线与上方画素之间的寄生电容会经由TFT的通道 图A 图B 连接至资料线，因此其电容效应也可被视为接到接地点，同理，由于扫描线与上方画素之间的寄生电容 远小于存储电容和液晶电容，故其电容效应也可被视为接到接地点，所以，扫描线等效电容电路可简化为图B，扫描线上的次画素等效电容 可表示为： 注意到上面公式第四项，这个电容 当TFT是关闭时，由于通道内没有导电的电荷，所以其值接近于0，而当TFT开启时，由于通道内充满导电的电荷，所以是可视为栅极金属和导电的半导体之间夹置一层栅极绝缘层的电容值，若TFT的通道宽度和长度 各为W和L，栅极绝缘层介电常数和厚度各为 和 ，则TFT可视为 因为扫描线的电压，只有在要将TFT打开或关闭时才会变化，所以讨论扫描线上信号延迟的目的，便是要了解TFT由关闭到打开，或是由打开到关闭，因为扫描线的信号延迟所造成的关闭速度变化，来决定TFT何时作充电的动作，何时进入电荷保持的状态，但是 却会随连接至其栅极上的扫描线电压而变动，象这样的情况，该如何评估扫描线上的信号延迟呢？建议以上面公式 在TFT开启时的电容值来带入计算扫描线次画素等效电容简单的说，这样的计算方法，也会高估扫描线上的信号延迟效应，采取比较保守的设计，可以确保设计的成功。 6、资料线上的信号延迟 与扫描线等效电路相似，资料线上的次画素等效电阻为 ，其中 为资料线所用金属的电阻系数， 为次画素中资料线的长度，即为次画素的高度， 为资料线的剖面面积，一般即为资料线金属的宽度乘以厚度。 同样，将图A中的画素等效电路，把除了资料线本身以外的其它信号源都视为接地，由于资料线与本身及左方画素之间的寄生电容 和 远小于存储电容和液晶电容，故其电容效应也可被视为接到接地点，再者，由于资料线上的所有画素，同时间只会有一个画素的TFT是打开的，当扫描线数很多时，计算资料线上的信号延迟，可以忽略这个画素的效应，所以资料 线上的等效电容电路如图B所示，资料线上的次画素等效电容可表示为： 图A 图B 一般而言，由于资料线所使用的金属材料阻值比扫描线的金属材料低，而且厚度比扫描线厚，再加上扫描线在水平方向上传递的次画素数目比资料线上的多，因此，扫描线的信号延迟比资料线严重得多。 7、共电极的信号延迟 在TFT-LCD画素阵列中的共电极，并不是直接由共电极电源来驱动的，而是会经由其它周边的画素才会连接到阵列中心的画素，如果使用共电极电压调变方式来驱动共电极，就要考虑共电极的信号变动的延迟，即使是以直流电压来驱动共电极，也应该要考虑共电极的信号延迟效应， 其原因在于，在画素阵列中的共电极电压，可能会经由电容耦合效应而受到其它信号的影响，而被拉离原来设定的直流电压，此时若要回复到原来的设定值，就需要从共电极电源来重新设定其电压，在阵列周围的画素，比较接近共电极电压源，但在阵列内部的画素，共电极电压源，需要经过其它画素的延迟效应之后，才能重新设定，使整个共电极上的电压到达稳定状态，因此也要考虑共电极的信号延迟。 第六节 综合效应 一个成功的TFT-LCD设计，前面四节的四项考量必须同时满足，本节就来探讨这几项考量之间的关系对设计的影响，希望通过此节的讨论，能够提高大家在TFT-LCD设计过程中的综合思考能力。 1、存储电容 存储电容较大时，需要更强的充电能力，但可以忍受较大的漏电流，反过来，当存储电容较小时，只能忍受较小的漏电流，但需要的充电能力较小，因此，储存电容的设计要在二者之间取得平衡，这是最基本的画素设计考量，再加上电容耦合和信号延迟的考量，储存电容的设计会更加复杂。 2、开关电流比 讨论充电与电荷保持二者分别在最苛刻的时候，可得到TFT开关电流比的要求，以充电公式除以电位保持公式，可得到： 先就电容而言，不论是要充电的