纳米材料的磁学性能课件.ppt

Co20Ag80纳米颗粒膜的GMR效应与Co颗粒半径的关系 1）GMR效应与颗粒半径成线性关系 2）颗粒半径越小，GMR效应越显著 CoxAg1-x颗粒膜的GMR效应与Co含量（x）之间的关系 Co含量（x）=22%时GMR效应最显著 隧道结磁电阻（TMR）效应 在金属膜之间夹有数纳米厚的绝缘层，构成三明治结构。在两金属之间加低电压，电子不是越过势垒，而是在能垒中穿过，这便是隧道贯穿现象。 绝缘层为非铁磁性时，电子贯穿前后自旋方向不改变。 如果三明治结构为铁磁性A/非铁磁性绝缘层/铁磁性B，传导电子在贯穿三明治结构时，会怎样？ 电子不受绝缘层的影响，但要受到铁磁性A层、铁 磁性B层自发磁化Ms的影响。 自旋方向不同的电子穿过隧道的几率不同，所产生 的巨磁电阻效应称为隧道磁电阻（TMR）效应。 关于隧道效应的研究一直在进行中，自发现金属超晶格GMR之后，它再一次引起人们的注目。有人采用Fe/Al2O3/Fe磁性三明治结构研究隧道型GMR效应，室温的GMR达到18％。由于这种器件膜层较厚，制作容易，对于实用器件，意义很大。其缺点是该结构的电阻较大。 材料 磁阻效应 （％） 饱和磁化强度（Oe） 磁场敏感度 （％/Oe） 注释 多层膜 10～100 100～2000 0.1 有磁滞现象 自旋阀 5～10 5～50 1.0 热稳定性差