半导体器件物理第6章2.ppt

后者则出现于紧靠Si／SiO2界面处。倍增产生的电子流向漏区，空穴流入衬底，衬底电流用下式表示 Isub＝ ID - IS =（M*-1）IS＋MID0 式中Is代表源极电流，ID0代表漏pn结反向饱和电流，M*为沟道倍增系数，M为转角区倍增系数。Isub流经衬底体电阻Rsub时产生的电压降经衬底极加到源极上，假定VBS＝0，这一电压降使源pn结正偏，也就是使寄生NPN晶体管发射结正偏。与此同时漏pn结，也就是NPN晶体管的集电结本已出现载流子倍增。于是正向有源工作的NPN晶体管就进入“倍增一放大”的往复循环过程，从而导致电压下降电流上升。因此，从外部引出端测量出来的 BVDS实际上是寄生NPN晶体管的BVCEO。 从MOS本身分析：倍增使ID迅速增加，漏结等效电阻随ID的增加而下降，使维持大电流的漏耐压减小而出现负阻特性。 4）漏源穿通 衬底电阻率比较高的短沟MOST的VDS上升到足够高时，漏结耗尽区延伸到与源结耗尽区连通，这种现象称为漏源穿通。 穿通电压为： VD为pn结内建电势。 器件处于穿通状态时有很大的漏极电流，并且不受栅压控制。 ②栅源击穿电压BVGS MOSFET的栅源击穿，实质上是二化硅层的破坏性介电击穿，一但击穿栅电极即与衬底短路，器件永久失效。 tox＝100～200nm时 BVGS＝EB tox EB代表二氧化硅击穿的临界场强，一般情况下EB＝5×106 ~ 1×107v/cm。 t0X＜80nm时 EB∝tox-0.21 实际多是静电导致栅源击穿BVGS 电场εG=QI/toxCox，由于tox小，静电QI导致εG很大而击穿。 场效应晶体管(FET)和双极晶体管(BJT)的比较？ 讨论提示： ?工作机理不同。 ?温度特性不同。 ?导电机构不同。 ?应用范围不同。 ?工作机理不同。 －－BJT：输入pn结工作在正偏，输入电流和输出电流保持一定的关系，常称之为电流控制器件。指数伏安特性。 －－FET：输入端或是反偏的pn结(MESFET，JFET等)，或是绝缘体(MISFET)，利用栅压的变化，来控制沟道的导电能力，输入电压和输出电流有一定的比例关系，常称之为电压控制器件。低电流区平方伏安特性。 ?温度特性不同。 ----BJT：温度的影响表现在ICB0、β、Vbe是温度的函数，因温度的升高所引起这三个量的变化都会导致输出电流的上升。 ----FET：在结型FET中，当夹断电压(数值)较大时，温度对输出电流的影响: |VGS|较小时，电流的温度系数为负；|VGS|较大时，电流的温度系数为正。 影响温度系数的因素： ☆多子μ随T↑而↓→IDS↓。 ☆耗尽层厚度随T↑而↓→ IDS ↑ 。 当两种因素相抵销时，温度系数为零。 ?导电机构不同。 BJT：两种载流子(电子和空穴)同时参加导电，称为双极晶体管。 FET：只有一种载流子－－多子参与导电，称为单极晶体管。 由于BJT中少子的数量容易受温度或核辐射等外界因素的影响，因此，在环境变化大时，采用FET较为合适。 ?应用范围不同。 BJT的E、C不能倒过来应用。FET的S、D，由于结构对称，可互换使用。 耗尽型FET，栅压可正，可负，工作范围大。 BJT若要大规模集成化，工艺难度大，成品率低，且功耗大，可靠性差。而FET恰好相反，可在很小的电流，如微安数量级，低电压下工作，MOS管易大规模集成。 综上所述，BJT和FET各有特点。 FET放大器常用于环境变化大的场合，作低噪声放大器的输入级，又可用于功耗较小，速度较低的大规模集成电路中。一般说， BJT频率特性好，所以常用做高频放大器工作速度要求快的开关电路中，以及电压增益要求高的放大器中。在有些电路中，还常将它们结合起来应用，制造性能优良的整机。 1）FET是多子器件，不出现少数载流于存贮效应，有利于达到较高的截止频率和较快的开关速度。2）FET是输入电压控制器件，而BJT则是输入电流控制器件，前者的输入近似于一个反偏二极管，后者的输入差不多是一个正偏二极管。3)FET的输入电阻要比BJT的高得多，其输入端易于与标准微波系统匹配，在应用电路中易于实现级间直接耦合。4）热稳定性好。高电平下FET的漏极电流具有负的温度系数，因而不致于出现由于热电正反馈而产生的二次击穿，有利于高功率工作。5）由于是多子器件，抗幅照能力较强。6）与BJT及MOST工艺兼容，有利于集成。7)噪声低。 与BJT相比， MESFET和JFET具有以下几个突出的特点(也适于MOSFET)： 双极型和场效应型三极管的比较