模拟电路基础 晶体三极管.ppt

集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICVCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC VCE ICVCE=PCM ICM V(BR)CEO 安全工作区 极间反向电流 式中：ICEO 表示基极开路，集电极－发射极反向饱和电流； ICBO 表示发射极开路，集电极－基极反向饱和电流。 1-4-3 三极管的参数 一、温度对ICBO影响 对于硅管和锗管，可近似认为：每温升10oC， ICBO增大一倍 1-4-4 三极管的温度特性 二、温度对发射结正向偏压 的影响 正偏发射结，若保持正向电流 不变，则正偏电压应减小2-2.5mv 三、温度对 的影响 即每温升1oC，晶体管的 值增加自身的 1-4-4 三极管的温度特性 例 U1=3.5V，U2=2.8V U3 = 9V U1=2.5V, U2=8.3V, U3=9V 工作在放大区的几个晶体管三个电极的电位为U1,U2,U3，分别为下列各组数值，判断它们是PNP还是NPN型？是硅管还是锗管？并确定E、B、C各极。 * * 1-4 晶体三极管（Bipolar Junction Transistors,BJT） 简介： 1. 三极管的历史 2. 电路符号