变压器绕组介质损失因数测试接线方式的探讨.pdfVIP

2015年 8月 吉 林 电 力 Aug．2015 第 43卷 第 4期 (总第 239期) JilinElectricPower Vo1．43 No．4(Ser．No．239) 变压器绕组介质损失因数测试接线方式的探讨 DiscussiononConnectionM odeofTransformerW indingDielectricLossFactorTesting 赵九文 ，王福成 ，王忠伟 ，于万祥。 (1．国网白城供 电公司，吉林 白城 137000；2．松花江热电有限公司，吉林 吉林 132000； 3．国网吉林省电力有限公司培iJ,I中心，长春 130062) 摘 要：针对变压器绕组介质损失因数 (tan )测试中存在的计算繁琐、测试操作次数及登高次数多带来的不安全 因素增多等问题，利用变压器绕组 tan 测试中抗干扰 电桥的特性，在实际测试数据分析基础上，介绍了高压屏蔽 和低压屏蔽 2种接线方式，通过 比对 ，对于应用较广泛 的AI一6000系列的抗干扰 电桥 ，建议 E型电桥使用低压屏蔽 法 ，A、B、C D型号 电桥使用高压屏蔽法作为变压器绕组 tan 测试 中的推荐方法 。 关键词 ：介质损失因数 (tan )；变压器绕组 ；接线方式；高低压屏蔽 中图分类号：TM835．4 文献标志码 ：B 文章编号：1009—5306(2015)04—0048—03 变压器测量介质损失因数 (以下简称介损，即 Ctan )／Cd；图1c中：测量值为高压绕组、低压绕 tan )是绝缘交接、预试、例行试验 的重要项 目，是 组对地：的值 ，即 cg+d：==C1+C3、tan g+d一 (cltan 判断变压器发生整体受潮、油质劣化、绕组产生严重 +c。tan )／(c+ca)。可见 ，真正需要得到的数 的局部缺 陷的重要手段 。以往测试过程 中，由于需要 据 C1、C2、C3、tan 1、tan 2、tan 并没有直接测量 多次变更试验接线以及最终测试结果需要经过二次 到，而是需要二次计算 。 计算 ，给正确判断设备真实绝缘状况带来了很多的 表 1 常规接线法的测量部位 不确定因素。本文通过对现场测试时几种接线方式 测试结果 的比较分析 ，获得了简洁有效 的试验方法。 1 变压器绕组 tan 测试的几种接线方式 变压器 tan 测试时 ，最需要 的数据是低压绕 b．高压屏蔽法 ，需测试 3次数据 ，该试验方法测 组对地电容量及介损值 (C。、tan3)、高压绕组对低 量部位见表 2，接线图见图2，该种接线需更改 2次。 压绕组 (c。、tan )以及高压绕组对地 (C。、tan )数 表 2 高压屏蔽法的测量部位 值 。近几年较常使用 的仪器为AI一6000抗干扰电桥 ， 已经从 A型发展到现在的E型，尤其是 E型在变压 器的介损测试 中得到了较好 的应用。下面就以该类 型电桥为例 ，介绍现场测试时的几种接线方式。 a．常规接线法 ：需测试 3次数据，该试验方法测 量部位见表 1，接线见 图1，接线需更改2次 。 高压屏蔽法接线方式下，图2a直接测量值为高 图 1a中：测量值为高压绕组对低压绕组及地 的 压绕组对地值 C。、tan 。；图2b直接测量值为低压 值 ，即高压绕组 的电容 C=：：c+C。，tan 一 (c tan 绕组对地值 C 、tan ；图2c中，直接测量值为高低 。+C。tan炙)／C ；图1b中：测量值为低压绕组对高 压绕组间的值C 、tan 。 压绕组及地 的值 Cd—C1+C2，tan乱一 (c1tan 1+ C．低压屏蔽法 (反接线 M 测量方式)，需测试 3 收稿 日期 ：2015—05—23 作者简介：赵九文(1972)，女，助理工程师，高级技师，从事 电气试验工作。 ·48 · 2015年 8