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微波射频器件介绍;一、放　大　器 二、衰　减　器 三、倍　频　器 四、混　频　器 五、VCO和分频器 六、开　关 FREQUENCY DIVIDERS (PRESCALERS) PHASE / FREQUENCY DETECTORS FREQUENCY MULTIPLIERS - ACTIVE MODULATORS - BI-PHASE MODULATORS - DIRECT QUADRATURE MODULATORS - VECTOR PHASE SHIFTERS - Analog POWER DETECTORS VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATORS* PHASE LOCKED OSCILLATOR I/Q MIXERS PHASE SHIFTERS ;HMC619LP5 / 619LP5E GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 10 GHz P1dB Output Power: +27 dBm Gain: 11 dB Output IP3: +37 dBm Supply Voltage: +12V @ 300 mA 50 Ohm Matched Input/Output 32 Lead 5x5mm Lead SMT Package: 25mm2;HMC619LP5 / 619LP5E放大器;GSM_PHS双模手机射频前端的关键技术研究与性能的优化;HMC462LP5 / 462LP5E放大器;HMC462LP5 / 462LP5E放大器;HMC462LP5 / 462LP5E放大器;HMC273MS10G是宽带5位正电压控制的GaAsIC数字衰减器，覆盖0.7~3.7GHz，插入损耗为2dB,衰减器的离散值为1，2，4，8，16 dB，总衰减量为31 dB。精确值为±0.5 dB，5位控制电压为触发电压为0和3～5伏，来选择每一个衰减状态，通过5K欧姆外接电阻提供单电压3～5伏。;电气特性Vdd＝5V＆Vctl＝0／Vdd;HMC273MS10G / 273MS10GE数字衰减器;HMC307QS16G / 307QS16GE数字衰减器;HMC307QS16G / 307QS16GE数字衰减器;PAmodule;四倍频芯片HMC443LP4/443LP4E; 集成芯片HMC443是采用InGaP GaAs HBT 技术的宽带倍频器，当输入电压为+5V 时，倍频器能提供4dBm左右的输出功率，并且对温度、输入电压、输入功率的变化等具有比较高的稳定性。与输出信号电平相比，倍频器对信号中出现的基波和不需要的奇次谐波的抑制效果很好，大于25dBc。同时HMC443芯片具有良好的系统相位噪声性能，单边带相位噪声低，约为-142dBc/Hz在100kHz 处。与传统的本振链路的设计制作相比，四倍频器芯片HMC443的使用能有效的减少毫米波本振倍频链路中器件的数量，极大的简化了工程设计与制作。;四倍频芯片HMC443LP4/443LP4E;二倍频器HMC448LC3B;GaAs MMIC MIXER w/ INTEGRATED LO AMPLIFIER, 1.2 - 2.5 GHz 采用混频器HMC422MS8是GaAs MMIC双平衡混频器，这种混频器可以用于上下变频器具有集成本振放大器，混频器需要的电平为0dBm，供电电压3V，电流30mA，混频器转换损失为8～10.5 dB，;HMC422MS8混频器;HMC422MS8混频器;压控振荡器HMC513LP5 ;混频器HMC513技术参数Vdd＝5V;HMC362S8G / 362S8GE÷4分频器;HMC362S8G / 362S8GE÷4分频器;HMC362S8G / 362S8GE÷4分频器;HMC362S8G / 362S8GE÷4分频器;HMC493LP3 / 493LP3E VCO;HMC493LP3 / 493LP3E VCO;High RF Power Handling: +40 dBm High Third Order Intercept: +70 dBm Single Positive Supply: +3 to +10 Vdc Low Insertion Loss: 0.4 to 0.6 dB Ultra Small MSOP8G Package: 14.8 mm2 Included in the HMC-DK005 Designer’s Kit;收发芯片;HMC484MS8G / 484MS8GEGaAs MMIC 10 WATT T/R SWITCHDC - 3.0 GHz;HMC484MS8G / 484MS8GEGaAs MMIC 10 WATT T/R S