RS4.8布洛赫电子的动力学4.9恒定电场中的运动.pptxVIP

4.8 布洛赫电子的动力学性质;布洛赫电子;布洛赫电子的描述;外场中的电子运动;布洛赫电子做一个准经典近似，引入布洛赫波包。;准经典粒子近似;经典粒子和布洛赫波包;布洛赫波包 (推);布洛赫波包;波包;准近似成立的条件;波包的速度;证明;波包的速度;这个公式还表明：电子速度的方向为 k 空间中能量梯度的方向，即垂直于等能面。因此，电子的运动方向决定于等能面的形状，在一般情况下，在 k 空间中，等能面并不是球面，因此，v 的方向一般并不是 k 的方向。下图比较准确地反映了Bloch 电子的这一??点。;?;?;有了波包概念，可以唯象地研究布洛赫电子在外场中的运动情况！;?;?;?;?;有了运动定律，可以求解加速度和有效质量。;加速度和有效质量;以简单立方晶格s电子为例;（推）;?;?;?;图给出近自由电子近似下能带结构和有效质量随 k 的变化。明显看出带底附近 m*是大于零的常数，因为这里的能量是 k的二次函数，但随着 k 的增大，能量波矢之间不再严格是二次函数，所以 m* 不再是常数，而是 k 的函数，超过能量曲线拐点，m*变为负值。表明在 k 空间的这个区域，晶格对电子产生一个很大的阻力，以致压制住外力，并产生一个负的加速度。;?;?;?;?;有效质量和准动量;布洛赫电子的准经典运动已经了解，可以开始探讨导电问题。;4.9 布洛赫电子在恒定电场中的运动;恒定电场下的自由电子;恒定电场下的布洛赫电子;一维紧束缚近似：; 一维紧束缚近似下的E(k), v(k), m*随k 值的变化如上图。图中只画出一个能带，且只是绘出第一布里渊区。从图中明显看出在带底和带顶处，电子速度为零。中间有极大和极小值，带底处：m*0，带顶处：m*0，中间处m*→±∞。 我们从该图出发讨论恒定电场作用下电子的运动。; 当电子运动到布里渊区边界 处，由于 和 相差一个倒格矢 ，实际代表同一状态，所以电子从 移出等于又从 移进来。形成循环运动。;电子在K空间做循环运动;在实空间中的运动图象;电场作用下，电子在实空间的运动示意图（黄昆书p248);有两点必须指出： 1. 上述的振荡现象实际上很难观察到。由于电子在运动过程中不断受到声子、杂质和缺陷的散射，若相邻两次散射（碰撞）间的平均时间间隔为τ，如果τ很小，电子还来不及完成一次振荡过程就已被散射。而电子完成一次振荡所需的时间为：;晶体电子的准经典动力行为与实际不符，那怎么导电？;碰撞和弛豫;碰撞和弛豫;那么从能带论如何解释导电？;导体、绝缘体和半导体的能带论解释; 有电场存在时，由于不同材料中电子在能带中的填充情况不同，对电场的响应也不同，导电能力也各不相同。我们分三种情况讨论（针对价电子形成的价带而言)：;满带电子不导电; 当存在外加电场时，由于满带中所有能态均已被电子填满，外电场并不改变电子在满带中的对称分布，所以不产生宏观电流，I＝0。;从速度公式 ，我们可以得到一个重要结果：一个完全充满电子的能带不能形成电流。根据公式可知： v (?k ) = ?v (k ) （见右下图） 这可以从能量对称关系中给出。 E (k) = E (-k) 能带中所有电子产生的总电流密度是： 由于上面的关系，求和为零。 所以满带不能形成电流。;满带到未满带;未满带电子导电——导带： 下图所示部分填充的能带和满带不同，在外电场作用下，可以产生电流。;当存在电场时，由于导带中还有部分没有电子填充的空态，因而导带中的电子在外场的作用下会产生能级跃迁，从而使导带中的对称分布被破坏，产生宏观电流，I≠0。;未满带到近满带;空穴;空穴的性质;空穴的性质; 空穴是一个带有正电荷，具有正有效质量的准粒子。它是在整个能带的基础上提出来的，它代表的是近满带中所有电子的集体行为，因此，空穴不能脱离晶体而单独存在，它只是一种准粒子。;引入空穴概念的必要性的进一步说明： 满带中缺了少数电子就会有一定的导电性，这种近满带的情形在半导体中特别重要，要描述近满带中电子的运动，由于涉及到数目很大的电子的集体运动，因而在表述上十分不便，为此，引入空穴的概念，将大量电子的集体运动等价地变为少数空穴的运动，从而大大简化了有关近满带的问题，使满带顶附近缺乏一些电子的问题与导带底有少数电子的问题十分相似。 还应特别强调：我们虽然赋予空穴有质量、电荷等属性，但它不是实物粒子，而只是实物粒子——电子集体运动的一种等价描述，就像声子一样，也是一种”准粒子“或说：元激