半导体器件物理Chapter6－3.pdf

6.9 影响阈值电压的其余因素 QB Q0 QB − =+ − − + ψ φ ψ VTH VFB C Si ms C C Si （6-66） 0 0 0 1. 阈值电压V 与衬底掺杂浓度和氧化层厚度有关，因此可以通 TH 过改变衬底掺杂浓度和氧化层厚度来控制阈值电压。 2. 衬底偏置也会影响阈值电压： 1 2 （6-91） ΔQ (2qk ε N ) 1 1 V B S 0 a ⎡ V 2 2 ⎤ Δ =− ( +ψ ) −ψ TH C C ⎣ SB si si ⎦ 0 0 3. 只要考虑到 QB 的改变，即使在有衬底偏压的情况下，在 §6.5和§6.6节中推导的方程仍然有效。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 6.10 器件尺寸比例 半导体器件物理 © Dr. B. Li 1、 饱和区特性 一般遇到的实际应用的MOST，在饱和区工作时漏极电流都 是不完全饱和的(I 随V 增加而缓慢上升，不是恒定不变)。常 D DS 用沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应解释MOSFET中的不完 全饱和现象。下面分别解释这两种效应。 ①沟道长度调制效应 (对中等、高掺杂衬底) 当V 上升到超过V 时，沟道漏端夹断。未夹断区即有效沟道 DS Dsat 长度L’上的电压降保持等于V -V 不变，并且Q (L’)＝0。可以设想 GS T n 将有效沟道长度缩短了的未夹断区看作另一个工作在临界饱和态的 MOST，通过的电流即饱和漏电流，为区别于真实器件的IDsat ，用 I’Dsat表示。I’Dsat可表示为 μ β 2 C Z 2 ( ) n ox ( ) I V =−V V V − Dsat GS T GS T 2 2 L 半导体器件物理 © Dr. B. Li I L 1 Dsat