第5章 存储器系统 内容提要 概述 读写存储器RAM 只读存储器ROM 存储器的组成 高速缓冲存储器 §5.1 存储器原理 1.存储器的分类 存储器的分类 存储器的分类(1) 存储器的分类(1) 读写存储器RAM 只读存储器ROM 掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改 PROM:允许一次编程,此后不可更改 EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程 EEPROM(E2PROM):采用加电方法在线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash Memory(闪存):能够快速擦写的E2PROM ,但只能按块(Block)擦除 2. 存储器技术性能指标 存储容量 指存储器可以存储的二进制信息量,即可寻址的存储器单元数× 每单元二进制位数 例如SRAM2114容量为1K ×4,即它有1K个存储单元,每单元存储4位二进制数 存取时间 存储器访问时间,启动一次存储器操作到完成该操作所需要的时间 存储器技术性能指标(1) 存储周期 连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 可靠性 用故障间隔平均时间(MTBF)来表示 功耗 要求低功耗 3. 半导体存储器芯片的结构 (1)存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址,可存储1位(位片结构)或多位(字片结构)二进制数据 存储容量与地址、数据
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