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黑硅技术;内容;;光伏电池产业分布;厚度的限制：
200μm→ 120μm;多晶硅技术发展;起源：1999年，哈佛大学教授 Eric Mazur和他的研究生 C. Wu 在一次实验中意外发现了一种后来称之为黑硅的结构材料。随及在美军方资助下秘密研究了近10年。2008年成立SiOnyx公司，生产黑硅光电探测器。; 韩国成均馆大学利用RIE制备了柱状组织的黑硅，反射率6%，单晶电池转换效率可以达到15.1%；;三、黑硅制备新技术： 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅：高效、易控、低成本、低反射率、低损伤。;等离子体注入（PIII）技术介绍;PIII形成黑硅机理 ;平板式批量黑硅生产原型装备;PIII可控制备多种结构;NaOH制绒;;;五、黑硅太阳能电池;SEM 俯视图;束线离子注入：离子可筛选，高能注入，但设备昂贵;等离子浸没离子注入机;准单晶注入，方阻均值65.6，非均匀性小于3% ; PIII注入掺杂SIMS曲线，退火后，结深推进；
总剂量相比于扩散和离子注入低；;准单晶;2008年，德国弗朗霍夫太阳能研究所的Benick等人在n型Si衬底的p型发射极表面沉积Al2O3薄膜，制得了效率高达23.2%的电池。 ;原子层沉积氧化铝的反应机理;薄膜均匀性;最好钝化少子寿命;50片PEALD设备;*;内容;;;;SiNx减反层，背铝;等离子体注入制备黑硅太阳能电池;收集栅的制作;内容;黑硅整线制造装备;
吸光：多孔陷光，SiNx减反层，背铝
产生电子空穴: 上、下转换，杂散能级，量子点，叠层
电子空穴分离： 浅结、耗散区、弯曲电场
传输: 少子寿命，表面完整性，表面和体内钝化
收集: 密栅、局部掺杂、新型微细栅;*
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