电工电子技术教学课件作者靳孝峰项目9.pptVIP

图9.19 返回 图9.20 返回 图9.21 返回 图9.22 返回 图9.23 返回 图9.24 返回 图9.25 返回 图9.26 返回 图9.27 返回 图9.28 返回 图9.29 返回 图9.30 返回 图9.31 返回 图9.32 返回 图9.33 返回 图9.34 返回 图9.35 返回 图9.36 返回 图9.37 返回 图9.38 返回 9.4大规模数字集成电路 在向R0M存储写入信息时，I/O线是输入线，在读出RnM的信息时，I/O线是输出线，即一线两用。I/0线的多少取决于字的位数，即并行输出/输入数据的位数。例如在1024 X 1 bit的RnM中，每个字只有1个存储单元，所以只有1条I/0线。在512 X 4 bit的R0M中，每个字有4个存储单元，应该有4条I/0线。R0M的输出端一般采用三态输出结构，便于与外面的总线相连，进行信息的交换和传递。 (2)静态R0M和动态R0M 根据存储单元的工作原理不同，R0M分为静态R0M(SR0M)和动态R0M(DR0M）。静态存储单元是靠电路的自我保持功能来存储数据的，DRn M型有双极型和MOS两种;动态存储单元利用M0S管栅极电容能够存储电荷的原理制成，一只M0S管即可做成一个存储单元，电路结构非常简单，但需要为电容补充电荷的刷新电路。 上一页 下一页 返回 9.4大规模数字集成电路