电工与电子技术教学课件作者张文兵第六章.pptVIP

图6一17 N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管 返回 (a)结构;(b)图形符号 图6一18 N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 返回 (a)结构;(b)图形符号 图6一19 增强型NMOS管的特性曲线 返回 ( a)转移特性;(b)输出特性 图6一20 耗尽型NMOS管特性 返回 ( a)转移特性;(b)输出特性 图6一21 复合管及其等效晶体管 返回 a) NPN与NPN复合成NPN;(b)PNP与PN复合成PNP; c) NPN与PNP复合成NPN;(d)PNP与NPN复合成PNP 图6一22 光敏晶体管 返回 图6一23 光祸合器的图形符号 返回 (a)光敏晶体管型;(b)达林顿型;(c)晶闸管型;(d)集成电路型 * 第三节 半导体三极管 (1)集电极最大允许电流ICM晶体管的集电极电流Ic超过一定值时，某些参数将变坏，特别是晶体管的刀值将明显下降，当刀值下降到正常值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。因此，在使用晶体管时，Ic超过ICM时并不一定会使晶体管损坏，但刀值将逐渐降低。 (2)集电极一发射极反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CEO是指基极开路时，加于集电极与发射极间的反向击穿电压，其值通常为几十伏至几百伏以上。当温度上升时，击穿电压要下降，所以选择晶体管时U(BR)CE。应大于工作电压UCE的两倍以上。使用中，若UC