微电子器件与电路教学大纲.docVIP

微电子器件与电路 一、课程基本情况 课程编号开课单位 微纳电子学系 课程名称 中文名称 微电子器件与电路 英文名称 Microelectronic Devices and Circuits 教学目的与重点 本课程内容涵盖微电子学专业所需掌握的主要基础知识，包括半导体材料与集成电路制造工艺的简单介绍、然后再学习半导体物理基本知识、重点讨论pn结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管等半导体器件的结构、制备与工作原理，最后还将介绍微电子器件的最新进展以及集成电路的分析与设计技术。 课程负责人 张莉，许军 课程类型 □文化素质课 □公共基础课 ■学科基础课 □专业基础课 □专业课 □其它 教学方式 ■讲授为主 □实验/实践为主 □专题讨论为主 □案例教学为主 □自学为主 □其它 授课语言 ■中文 □ 中文＋英文（英文授课50%） □英文 □其他外语 学分学时 学分 3 总学时 48 考核方式及成绩评定标准 微电子专业的学生：作业10%，课堂练习10%，期中（半开卷）30%，期末（半开卷）50% 其他专业：考勤，作业，课堂练习 教材及主要参考书 中文 外文 教材 半导体器件导论 An Introduction to Semiconductor Device 主要参考书 微电子技术基础——双极、场效应晶体管原理 先修要求、适用院系及专业 先修课程：大学物理 适用先修了《大学物理》的各系同学 二、课程内容简介 本课程内容涵盖微电子学专业所需掌握的主要基础知识，包括半导体材料与集成电路制造工艺的简单介绍、然后再学习半导体物理基本知识、重点讨论pn结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管等半导体器件的结构、制备与工作原理，最后还将介绍微电子器件的最新进展以及集成电路的分析与设计技术。通过本课程的学习，学生将对微电子专业从物理到电路有一个全面的了解，重点在掌握半导体器件的工作原理及在集成电路中的应用。还将了解微电子的应用领域及研究热点、学科方向与发展趋势等内容。微电子专业的学生在本课程的基础上，能顺利进入后续课程的学习。对于非微电子专业的学生，本课程将为其进入微电子学研究领域或与微电子学相关的交叉学科，打下一个初步扎实的基础。 三、课程主要教学内容 第1章 绪论（1学时） 第2章 晶体结构（2学时） 2.1 半导体材料：材料的原子构成，纯度，结构 2.2 固体的类型 2.3 晶体结构：单胞的概念，三维立方单胞，半导体晶格，密勒指数 2.4 成键 2.5 固体的缺陷 2.6 晶体的生长：超纯硅的获取，单晶硅的形成 2.7 器件制造工艺：氧化 第3章 固体理论（3学时） 3.1 量子化力学简介 3.2 能量量子化和禁带的概念 3.3 禁带理论：禁带的形成，载流子（电子和空穴），有效质量 3.4 态密度 第4章 平衡态半导体 （3学时） 4.1 半导体中的载流子：电子和空穴的平衡态分布，本征材料内的载流子浓度， 本征费米能级 4.2 掺杂原子核能级 4.3 非本征材料中的载流子分布 4.4 载流子浓度：有效掺杂 4.5 载流子浓度的计算 4.6 费米能级的位置：载流子浓度与温度的关系 4.7 器件制造工艺：扩散和离子注入 第5章 载流子输运和过剩载流子（3学时） 5.1 漂移：漂移的定义与图像，漂移电流，迁移率，电阻率，能带弯曲 5.2 扩散：扩散的定义与图像，热探针测量法，扩散和总电流，扩散系数与迁移率的关 系 5.3 缓变杂质分布 5.4 产生-复合：产生-复合的定义与图像，动量分析，产生-复合统计，少子寿命 第6章 pn结和金属-半导体接触（4学时） 6.1 pn结的基本结构 6.2 零偏pn结和反偏pn结：泊松方程，内建电势，耗尽近似 6.3 金属-半导体接触：Schottky势垒；Schottky结的反向特性 6.4 正偏pn结和Schottky结 6.5 金属-半导体欧姆接触 第7章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）（9学时） 7.1 MOSFET的结构和基本工作原理 7.2 MOS电容：能带结构，电荷分布和耗尽层 7.3 MOS电容的电势差：功函数差，氧化层电荷，平带电压，阈值电压 7.4 MOS电容的CV特性 7.5 MOSFET的直流特性：电流电压关系，衬偏调制效应 7.6 MOSFET的小信号特性：小信号等效电路 7.7 MOSFET的器件制造工艺介绍 第8章 MOSFET的深入介绍（3学时） 8.1 按比例缩小 8.2 非理想效应：亚阈值导电，沟道长度调制效应，迁移率调制，速度饱和 8.3 阈值电压修正：短沟效