Chapter4 正弦波振荡器 oscillator.pptVIP

4.5.1 频率稳定度 回路总电容的变化量: 则: 因此，振荡器的相对频率稳定度为: 所以： 假设元件质量高，回路L、C的不变化： 式中，?CD2因此为折合到振荡器输入端的总不稳定电容 变化量。 4.5.1 频率稳定度 例： 已知： 求： ①相对频率稳定度 ； 解： ②求：当 减小到原来的1/10，并保持 时，计算此时的： 4.5.1 频率稳定度 解： 总回路电容比原来大10倍，回路电感应减小10倍，即： 4.5.1 频率稳定度 ③采用克拉拨电路， 保持：C1=C2, 求：C1=? , C2=? 解： 例3 (P168) 自己看看吧。 4.5.2 稳频方法 引起振荡频率不稳定的主要原因是外界因素，包括温度、电源电压、大气压力、空气湿度、磁场、电场、负载阻抗变化等。 上述这些因素对振荡器的影响有两点： ①改变了回路元件参数和品质因数； ②改变了晶体管的参数。所以稳频应尽可能减小外界因素的变化，提高电路本身抵抗外界因素变化影响的能力。 4.5.2 稳频方法 (1) 减小外界因素的变化 ①机械振动引起回路元件和引线变形，使电感、电容数值及分布参数变化，引起频率变化。 办法：安装减震装置（打固定蜡）；接线牢固；调谐回路加锁定装置； ②温度变化，晶体管的静态工作点及参数变化。另外，热胀冷缩引起回路元件尺寸变化。 办法：恒温，直流反馈等（热敏电阻稳定装置）；正、负温度系数的电容进行温度补偿。 ③湿度和大气压力的变化对元件数值和Q值的影响，表现在材料吸潮后膨胀变形，从而改变了绝缘介质性能和空气介电常数，引起回路元件值和Q值改变。 办法：密封。采用吸潮小的介质和绝缘材料。 4.5.2 稳频方法 ④电源电压变化。 办法：稳压，采用稳定系数好的偏置电路，振荡器单独供电。 ⑤周围电磁场的影响。 办法：电感变化采用屏蔽措施。 ⑥负载变化，Q值变化，频率变化。 办法：在振荡器和负载之间加缓冲器。 ⑦老化。 办法：将元件进行老化处理，减少使用过程中参量变化。 由于 ，当L、C产生?L、 ?C 时： 4.5.2 稳频方法 (2) 提高电路抗外界因素影响的能力 ① 提高回路的标准性 负号表示L和C增加时，?0变小。L、C 除了集中参数的回路电容和回路电感之外，还含有晶体管的极间电容、电路的分布电容及引线电感。 具体方法： 采用高质量的回路元件。目前使用较广的是在高频磁上用烧渗银的方法制成的电感线圈。特点是损耗小，温度膨胀系数小，吸水性小。 高质量电容则采用膨胀系数小的金属（如殷钢）做极片的空气电容或云母电容器。 标准性：振荡回路在外界因素变化时，保持谐振频率不变的能力。 4.5.2 稳频方法 在影响回路参数的各种外界因素中，主要是环境温度的变化。 定义温度系数为：温度变化1℃时，L和C的相对变化值为温度系数?L和?C ，则： 如果?L和?C变化相反（符号相反），则 这就是广泛采用的温度补偿法。通常?L为正， ?C为负（陶瓷电容器）。 减小分布电容和引线电感。引线尽可能短，连接牢固。 减小不稳定电容在回路中所占比重，两种方法： A）降低振荡频率，C可取大，降低其它电容的比例，所以在无线电设备中希望主振频率低，然后倍频，提高振荡器的频率稳定度； B）满足起振条件下，减小回路和负载及有源器件之间的耦合，即部分接入法。例如：克拉拨电路、西勒电路。 提高回路的有效Q值，采用先进工艺提高Q。 4.5.2 稳频方法 ②减小?Y及其变化（ ?YF = ?Y + ?F ） ?Y是平均正向传输导纳的相角，它主要是两个原因产生： 载流子在基极渡越时间的影响， 二是高次谐波的影响。前者可选用fT高的管子，使?Y 减小，一般取fT=10f ；后者主要是Q值有限，高次谐波在回路上总有压降，使uC不是理想的正弦波而有畸变。一般电容反馈式的频率稳定度优于电感反馈式。 ?F是回路uC 和反馈uf 间的相角。主要原因是基极电阻不够大，在振荡回路中有一定损耗及晶体管Cie、Coe的影响。 可以证明：电容耦合式?F为正值， ?F 0 电感耦合式?F 为负值， ?F 0 互感耦合振荡器?F 0 因为?Y 总是负值（ ?F 0 ），所以电容三端式的| ?YF| 较小，电感三端式| ?YF|较大。 因而在高频段的振荡器，几乎毫无例外的采用电容三端式振荡器。 4.6 石英晶体振荡器 （Quartz） Crystal Oscillator 以上分析知，LC振荡器的频率稳定度取决于回路元件参量和Q值。 由于L、C元件的偏差及回路Q值一般不超过300，所以LC振荡器的日频率稳