模电第05章场效应管放大电路(康华光)-1.pptVIP

耗尽型 场效应管与晶体管的比较 当rds≈?时： (4)输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 (5)纯电压增益Avs + vgs - rds id gmvgs R Rg2 Rg1 RS + vS - ii + vi - Rd RL + vo - (6)输出电阻 求输出电阻的图: vso=-vgs 当rds≈?时： Ro≈Rd + vgs - Rg1 rds RS gmvgs R Rg2 Rd i + v - vgs+vso=0 + vgs - rds id gmvgs R Rg2 Rg1 RS + vS - ii + vi - Rd RL + vo - 二 . 共漏极放大电路 1.电路 Rg1 Rg2 R VDD 2.静态分析 直流通道： +VGS – ID + VDS – VGS=VDD·Rg2/(Rg1+Rg2)-IDR ID=Kn (VGS-VT )2 VDS=VDD-IDR =2Kn (VGS-VT ) 3.动态分析 (1)共漏极放大电路的小信号模型 RL Rg1 + vo - + vgs - rds id gmvgs R + vS - RS + vi - ii Rg2 (2)电压增益Av vo=gmvgs·(rds//R //RL) vi=vgs+ gm vgs ·(rds//R //RL)] (3)输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 RL Rg1 + vo - + vgs - rds id gmvgs R + vS - RS + vi - ii Rg2 (4)输出电阻 求输出电阻的图: + vgs - Rg1 rds RL RS + vS - + vi - ii id + vo - gmvgs R Rg2 + vgs - Rg1 rds RS gmvgs R Rg2 + v - i vgs+v =0 vgs=-v 求 Ro 图 三.耗尽型N沟道场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (1)电路组成 +VDD RS CS C2 C1 Rd RG T + vi _ + vo _ (2)静态分析 VGS = –RSIS = – RSID ID=IDSS(1-VGS/VP )2 根据上两式解出VGS、ID。 VDS= VDD –ID(Rd+ RS) 直流通路 + VDS - +VDD RS Rd RG IS + VGS - 由于静态时栅源电压VGS是由场效应管自身的电流提供的: VGS = –RSIS= –RSID ——故称自给偏压。 注意:增强型MOS管因VGS=0时, ID?0, 故不能采用自给偏压式电路。 * 第五章 场效应管放大电路 重点： 1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线； 2.学会判断场效应管的工作状态； 3.掌握场效应管放大电路(特别是结型场效应管 JFET放大电路)的分析方法。 FET分类: 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管简介 ——场效应管(Field Effect Transistor，简称FET) BJT(三极管)是一种电流控制元件(iB~ iC)。工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以能耗大，温度特性差。 FET是一种电压控制器件(vGS~ iD)。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它能耗小，输入电阻高，且温度稳定性好。 §5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 ——MOS场效应管、绝缘栅场效应管: Metal Oxide Semiconductor FET, 简称MOSFET 一 .增强型N沟道绝缘栅场效应管 1.结构 SiO2绝缘层 金属电极 P型硅衬底 高掺杂N区 耗尽层 (PN结) 2、符号 g s d b 3.增强型N沟道MOSFET的放大原理 共源极接法的接线： g s d + vGS - ig iD + VCC - + vDS - 经实验证明: (1)栅极电流ig≈0 由于栅极是绝缘的,GS之间输入电阻很高,最高可达1014?,因此栅极电流ig≈0 。 (2)当栅源电压vGS变化, 漏源电压vDS =constant0时 若vGS ≤VT (开启电压) :漏极电流iD=0 若vGS VT: vGS 越大, iD越大——互导放大作用 (