一种24GHzCMOS功率放大器设计.PDFVIP

第 17 卷 第 4 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1.17，No.4 2019 年 8 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Aug.，2019 文章编号：2095-4980(2019)04-0716-05 一种 24 GHz CMOS 功率放大器设计 彭 尧，何 进，王 冲，王 豪，常 胜，黄启俊 (武汉大学 物理科学与技术学院，湖北 武汉 430072) 摘 要 ：基于 130 nm 互补金属氧化物半导体(CMOS) 工艺，设计了一种高增益和高输出功率 的 24 GHz 功率放大器。通过片上变压器耦合实现阻抗匹配和功率合成，有效改善放大器的匹配 特性和提高输出功率。放大器电路仿真结果表明，在 1.5 V 供电电压下，功率增益为 27.2 dB ，输 入输出端回波损耗均大于 10 dB ，输出功率 1 dB 压缩点 13.2 dBm ，饱和输出功率 17.2 dBm ，峰值 功率附加效率 13.5% 。 关键词 ：互补金属氧化物半导体；功率放大器；变压器耦合；功率合成 中图分类号 ：TN722 文献标志码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201904.0716 Design of a 24 GHz CMOS power amplifier PENG Yao，HE Jin，WANG Chong，WANG Hao，CHANG Sheng，HUANG Qijun (School of Physics and Technology，Wuhan University，Wuhan Hubei 430072，China) Abstract： A 24 GHz power amplifier with high gain and high output power based on 130 nm Comple- mentary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) is designed. Impedance matching and power synthesis are achieved through on chip transformer coupling, which effectively promotes the matching characteristics and improves the output power of the amplifier. The simulation result shows that, under a 1.5 V power supply, the power gain is 27.2 dB; the input and output return losses are more than 10 dB; the 1dB output power compression point is 13.2 dBm with a saturated output power of 17.2 dBm; the peak Power Added Efficiency(PAE) is 13.5%. Keywords： Complementary Metal Oxide Semiconductor；power amplifier；transformer