半导体集成电路_10CMOS静态门电路(3)-功耗.pptVIP

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  • 2019-10-24 发布于湖北
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半导体集成电路_10CMOS静态门电路(3)-功耗.ppt

* 半导体 集成电路 * CMOS静态门电路的功耗 * 内容提要 功耗的组成 静态功耗及减小措施举例 动态功耗及减小措施举例 CMOS静态门电路的小结 * CL Vdd VDD 0 t V 1.当输入信号为0时: 输出保持1不变,没有电荷转移 3.当输入信号从0-1(发生跳变)时: 输出从“1”转变为“0”, 有电荷转移 0 1 2.当输入信号为VDD时: 输出保持0不变,没有电荷转移 CMOS反相器的功耗 动态功耗 静态功耗 * CMOS反相器的功耗 功耗组成: 1. 静态功耗 2. 动态功耗 1.静态功耗PS 输入 输出 输出 在输入为0或1(VDD)时,两个MOS管中总是一个截止一个导通,因此没有从VDD到VSS的直流通路,也没有电流流入栅极,因此其静态电流和功耗几乎为0。 Vin Vout 常规 * 对于深亚微米器件,存在泄漏电流Ileakage VDD Ileakage Vout 漏极扩散结漏电流 亚阈值漏电流 栅极漏电流 随着特征尺寸的减小,泄漏电流功耗变得不可忽视,减小泄漏电流功耗是目前的研究热点之一。 Ipn=A?JS 由越过沟道区的少数载流子扩散电流引起的 * 反向偏置二极管漏电流 * 亚阈值漏电流 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) VG VD ID 由少数载流子的扩散引起,类似横向

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