半导体器件物理-双极型晶体管功率特性.pptVIP

2、外延层穿通 (1) 外延层穿通现象 外延层厚度太薄时，造成集电区厚度Wc过薄，当集电结发生雪崩击穿之前，空间电荷区xdc已扩展到衬底n+层，即出现外延层穿通。 ?(2) 外延层穿通时的BC结击穿电压 上式中，BV为由集电区电阻率决定的击穿电压 （Xd）m为击穿电压等于BV时的耗尽层宽度 WC为集电区厚度 ?P-N-（外延层）-N+（衬底）外延结构的击穿电压，低于BV（P-N-），高于BV（P-N+）。 ? 参考：P-N+击穿电压变小的原因，重掺杂区对电场起“屏蔽”作用，即空间电荷区集边不向重掺杂区再扩展，这样使得再增加的电场都叠加在原来的空间电荷区上，使得空间电荷区中电场强度升高的更厉害，从而导致击穿电压降低。 3、外延层参数的设计考虑 (1) 根据BVCBO的要求确定外延层电阻率，确保工作期间不出现BC结击穿。已有实际经验数据可供参考。 (2) 按照BC结击穿时不出现外延层穿通的要求确定外延层厚度。 芯片总厚度等于外延层厚度和衬底厚度之和。 外延层厚度（Wepi）主要由集电结结深xjc，集电区厚度、衬底杂质范扩散深度XR、表面SiO2消耗的厚度决定。 双极晶体管安全工作区 游海龙 一、双极晶体管的二次击穿 1、二次击穿现象 以零偏为例： 当电压VCE增大到D点时，集电结发生雪崩效应，晶