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参考
课程设计报告
设计课题:
CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计
姓 名:
XXX
专 业:
集成电路设计与集成系统
学 号:
1115103004
日 期
2015年1月17日
指导教师:
XXX
国立华侨大学信息科学与工程学院
一:CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计
1:电路结构
最基本的CMOS二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如下图,主要包括四部分:第一级PMOS输入对管差分放大电路,第二级共源放大电路,偏置电路和相位补偿电路。
2:电路描述:
输入级放大电路由M1~M5组成。M1和M2组成PMOS差分输入对管,差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰;M3和M4为电流镜有源负载;M5为第一级放大电路提供恒定偏置电流。
输出级放大电路由M6和M7组成,M6为共源放大器,M7为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载。
偏置电路由M8~M13和Rb组成,这是一个共源共栅电流源,M8和M9宽长比相同。M12和M13相比,源级加入了电阻Rb,组成微电流源,产生电流Ib。对称的M11和M12构成共源共栅结构,减少了沟道长度调制效应造成的电流误差。在提供偏置电流的同时,还为M14栅极提供偏置电压。
相位补偿电路由M14和Cc组成,M14工作在线性区,可等效为一个电阻,与电容Cc一起跨接在第二级输入输出之间,构成RC密勒补偿。
3:两级运放主体电路设计
由于第一级差分输入对管M1与M2相同,有
R1表示第一级输出电阻,其值为
则第一级的电压增益
对第二级,有
第二级的电压增益
故总的直流开环电压增益为
所以
4:偏置电路设计
偏置电路由 M8~M13 构成,其中包括两个故意失配的晶体管M12 和M13,电阻RB 串联在M12 的源极,它决定着偏置电流和gm12,所以一般为片外电阻以保证其精确稳定。为了最大程度的降低M12 的沟道长度调制效应,采用了Cascode 连接的M10以及用与其匹配的二极管连接的M11 来提供M10 的偏置电压。最后,由匹配的PMOS器件M8 和M9 构成的镜像电流源将电流IB 复制到M11 和M13,同时也为M5 和M7提供偏置。
下面进行具体计算。镜像电流源M8 和M9 使得M13 的电流与M12 的电流相等,都为IB,从而有
而由电路可知
联立上式可以得到:
整理得:
可以看到,IB仅以电阻RB和M12,M13的尺寸有关,不受电源电压的影响。
二:计算参数
对于MOS 管宽长比的设计,可以先选择合适的过驱动电压,然后分配合理的电流,最后再计算宽长比。通常先选择过驱动电压为0.1V~0.2V,如果是已知跨导,就可以计算其电流和宽长比,如果是预先分配电流,也可以计算其跨导和宽长比。
设计步骤:
1:选择Cc 的大小。与Cc 相关的是单位增益带宽、输入积分噪声、z1 位置和压摆率。Cc 增大大有几个好处,增强极点分裂功能,降低输入积分噪声,降低第二级功耗,提高相位裕度,但缺点是降低了GBW 和压摆率。而且Cc 的选择和负载取值有关,所以我们尽量增大Cc,前提是满足压摆率指标,然后增加gm1 以提高GBW。在IDS1不变的前提下,gm1 的提高可以通过降低VDSAT1 得到。本设计中负载是3pF,考虑寄生电容存在,选取Cc 初值为1.8pF,在后面的步骤中可以通过迭代调整Cc 的值。
2:相位补偿,选取gm6=3.2gm1。
3:选择过驱动电压,VDSAT1 降低有助于提高共模输入范围,增大输出摆幅,降低输入失调电压,提高电压增益,提高共模抑制比,提高负电源抑制比。另外,在同等电流前提下,过驱动越小,跨导越大。所以VDSAT1 尽量取小比如0.1V。
4:分配电流。第一级电流增大有助于提高gm1,提高SRint,这里取IDS6=4IDS1。取偏置电流IDS8=10μA,k1=12,k2=24,即IDS5=120μA,IDS7=240μA,总电流为380μA。
5:计算M1,2 宽长比。已知IDS1=60μA,VDSAT1=0.1V,得到(W/L)1=347.8。当α=2 时,W1L1≥64.4μm2,由此得到L10.43μm。由于要加上2LD 即0.4μm 的扩散长
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