半导体工艺基础第二章衬底制备.pptVIP

第二章 衬 底 制 备 主要内容 §2.1 衬底材料 §2.2 晶体生长 §2.3 衬底制备  §2.1 衬底材料 一、衬底材料的类型 1. 元素半导体 Si、Ge、C（金刚石） 2. 化合物半导体 GaAs、SiGe 、SiC 、GaN、ZnO 、HgCdTe 3. 绝缘体 蓝宝石 表1 周期表中用作半导体的元素 Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 第2周期 B C N O 第3周期 Al Si P S 第4周期 Zn Ga Ge As Se 第5周期 Cd In Sn Sb Te 第6周期 Hg Pb 元素半导体 Si： ①占地壳重量25%； ②单晶直径最大，目前32英吋（80cm）,每3年增加1 英吋； ③SiO2:掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘介质（多 层布线）、绝缘栅、MOS电容的介质材料； ④多晶硅（ Poly-Si）：栅电极、杂质扩散源、发 射极互连线（比铝布线灵活）； 元素半导体 Ge： ①漏电流大：禁带宽度窄，仅0.66Ev(Si:1.1Ev)； ②工作温度低：75℃（Si:150℃）； ③GeO2:易水解（SiO2稳定）； ④本征电阻率低：47Ω·cm（Si: 2.3X105Ω·cm）； ⑤成本高。 二、对衬底材料的要求 1．导电类型：N型与P型都易制备； 2