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电离室 工作机制:入射带电粒子(或非带电粒子的次级效应产生的带电粒子)使气体电离产成电子-离子对,电子-离子对在外加电场中漂移,感应电荷在回路中流过,从而在输出回路产生信号。 输出信号:电荷、电流、电压。 是理想的电荷源。 是近似理想的电流源(条件:V(t)V0) 电压信号可通过对输出回路分析得出。 电离室的两种工作状态 脉冲工作状态 离子脉冲(慢、幅度与能量成正比h=Ne/C0) 电子脉冲(快、幅度与能量一般不成正比h=Q-/C0) 圆柱形电子脉冲电离室与屏栅电离室 累计工作状态 输出电流信号 输出电压信号及涨落 脉冲电离室的主要性能 能量分辨率 饱和特性——脉冲幅度与工作电压的关系 坪特性 ——计数率与工作电压的关系 探测效率:记下脉冲数/入射到灵敏体积内的粒子数 时间特性: 分辨时间:能分辨开两个相继入射粒子的最小时间间隔 时滞:粒子入射与输出信号的时间差 时间分辨本领:确定入射粒子入射时刻的精度 累计电离室的主要性能 饱和特性——输出电流信号与工作电压的关系 灵敏度 线性范围——一定工作电压下,输出信号幅度与入射粒子流强度的线性关系范围。 响应时间——反映入射粒子流强度发生变化时,输出信号的变化快慢。 能量响应——灵敏度随入射粒子能量而变化的关系 具有气体放大功能的气体探测器 非自持放电:正比计数器 输出信号幅度与沉积能量成正比。 自持放电:GM管 非自熄 自熄 有机 卤素 输出信号幅度与入射粒子的种类和能量无关。 正比计数器漏计数校正 真信号计数率m,分辨时间? 一信号与前一信号时间间隔小于?的概率为: 单位时间内由于分辨时间影响而丢失的计数为: 实际计数率: 校正公式: 条件: GM管漏计数校正 真信号计数率m,死时间? ,实际计数率n 单位时间内探测器死时间为: 单位时间内由于死时间影响而丢失的计数为: 校正公式: 闪烁探测器 辐射射入闪烁体使闪烁体原子电离或激发,受激原子退激而发出波长在可见光的荧光。 荧光光子被收集到光电倍增管(PMT)的光阴极,通过光电效应打出光电子。 电子倍增,并在阳极或打拿极输出回路输出信号。 第一打拿极收集到的光电子数是其信息载流子数目。 半导体探测器 类似气体探测器(信息载流子为:电子-空穴对),也称为固体电离室。 有三类 均匀型 PN结型 扩散结型、面垒型 高纯锗(HPGe) P-I-N型 锂漂移(锗锂Ge(Li)、硅锂Si(Li)) 各种探测器的能量分辨率 能量分辨率的表示 百分数表示 线宽表示(单位为KeV) 24Na的衰变纲图 24Na的NaI能谱 58Co的衰变纲图 58Co的NaI能谱 高纯锗探测器 1) P区存在空间电荷,HPGe半导体探测器是PN结型探测器。 2) P区为非均匀电场。 3) P区为灵敏体积,其厚度与外加电压有关,一般工作于全耗尽状态。 4) HPGe半导体探测器可在常温下保存,低温下工作。 5) 注意其空间电荷分布、电场分布及电位分布 性能 其中: Si(Li)和Ge(Li)平面型探测器用于低能?(X)射线的探测,其能量分辨率常以55Fe的衰变产物55Mn的KX能量5.95KeV为标准,一般指标约: 1) 能量分辨率: 为载流子数的涨落。 为漏电流和噪声; 为载流子由于陷阱效应带来的涨落,通过适当提高偏置电压减小。 HPGe,Ge(Li)同轴型探测器用于?射线探测,常以60Co能量为1.332MeV的?射线为标准,一般指标约: 2) 探测效率 一般以?3英寸×3英寸的NaI(Tl)晶体为100%,用相对效率来表示。 以85cm3的HPGe为例,探测效率为19%。 3) 峰康比 P = 全能峰峰值/康普顿平台的峰值 与FWHM以及体积有关,可达600~800 4) 能量线性:非常好 5) 时间特性:电流脉冲宽度约10-9~10-8s. 1) HPGe和Ge(Li)用于组成?谱仪:锗具有较高的密度和较高的原子序数(Z=32) 应用 2) Si(Li)探测器 由于Si的Z=14,对一般能量的?射线,其光电截面仅为锗的1/50,因此,其主要应用为: 低能量的?射线和X射线测量, 在可得到较高的光电截面的同时,Si的X射线逃逸将明显低于锗的X射线逃逸; ?粒子或其他外部入射的电子的探测,由于其原子序数较低,可减少反散射。 探测器的工作机制及输出信号产生的物理过程 气体探测器中的电子-离子对 闪烁探测器中被 PMT的D1收集的电子 半导体探测器中的电子-空穴对 产生每个信息载流子的平均能量分别为 30eV(气体探测器) 300eV(闪烁探测器) 3eV(半导体探测器) 探测器的信息载流子 电离室:电子-正离子对的生成;
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