二极管以及三极管课程.ppt

2? PNP型 P P N C B E C E B 集电极 基极 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 发射极 PNP型晶体管的结构示意图 PNP型 晶体管的图形符号 按半导体材料的不同分 为锗管和硅管，硅晶体 管多为NPN型，锗晶体 管多为PNP型。 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 N型硅 二氧化硅保护膜 B E C N+ P型硅 （a） 平面型 N型锗 E C B 铟球 铟球 P P+ （b）合金型 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 14.5.2 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB * 第14章 半导体二极管和三极管 14.2 PN结 14.3 半导体二极管 14.4 稳压管 14.5 半导体三极管 14.1 半导体的导电特性 14.1 半导体的导电特性 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：热敏性、光敏性、掺杂性。 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 14.1.1本征半导体 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的共价键结构 硅原子 价电子 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 价电子挣脱原子核的束缚形成电子空穴对的过程叫激发。 空穴的移动 半导体中的电流:自由电子电流和空穴电流。 +4 +4 +4 14.1.2 P半导体和N型半导体 1. N 型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的五价元 素,如磷。 磷原子 +4 正离子 自由电子 靠自由电子导电的半导体 称N型半导体。 自由电子的总数大于空穴， 自由电子为多数载流子， 简称多子，空穴为少数载流 子，称为少子。 +5 N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。 +4 +4 +4 2. P 型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素,如硼。 硼原子 +4 负离子 空穴 靠空穴导电的半导体 称P型半导体。 空穴的总数大于自由电子， 空穴为多数载流子，自由 电子为少子。 +3 P 型半导体结构示意图 电子是少数载流子 负离子 空穴是多数载流子 杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体 P 型 N 型 14.2 PN 结 PN结 内电场方向 1. PN 结的形成 多数载流子 少数载流子 内电场阻碍多数载流子的扩散运动， 加强少数载流子的漂移运动。 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 多子扩散 少子漂移 内电场方向 空间电荷区 P 区 N 区 在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡， 空间电荷区的宽度基本上稳定下来。 PN结的形成 内电场方向 外电场方向 R I 14.2.2 PN 结的单向导电性 1. 外加正向电压 P 型 N 型 PN结 PN结变薄，扩散运动增强，形成较大的正向电流 I。 PN结所处的状态称为 正向导通，其特点： P