新一代工艺及器件仿真工具Sentaur us.pptVIP

Generating Meshes MESH成果 SDE查看 Tecplot查看 */110 3D 3D MOSFET */110 TCAD概述 T4 / Medici Sentaurus ISE Silvaco sprocess sde sdevice TCAD *_fps.tdr *_fps.cmd *_bnd.tdr *.tdr *_msh.tdr *.plt *_dvs.cmd *_des.cmd Workbench (SWB) */110 Sentaurus Device Simulator 内嵌一维、二维及三维器件物理特性模型 仿真的方式主要是通过数值求解一维、二维或三维的半导体物理基本方程 (泊松方程、连续性方程及运输方程) 得到经工艺仿真而生成的或自定义的器件在有源或无源以及相应的外围电路作用下的电学参数和电学特性 仿真对象多元化 Sentaurus Device除了能实现传统的硅器件的仿真外，还可以进行光电器件、异质结器件、量子器件以及化合物半导体器件的物理特性模拟 */110 Sentaurus Device Simulator Sentaurus Device支持三种仿真类型： 单器件型、单器件-电路型、多器件-电路型 */110 Sentaurus Device Simulator Sentaurus Device通过数值模拟和可视化的输出，可以得到器件在无源状态下的内部结构和器件物理特性参数 如各区域内的电位、电场、杂质的纵向分布、横向分布及等位分布 各区域内载流子寿命、迁移率及其与杂质浓度间的定量关系 各区域内的电流密度、电子复合率与产生率的变化 各区域内电场场强和内电势分布等数据 ! */110 Sentaurus Device Simulator Sentaurus Device在保留经典器件物理特性模型基础上，又增加了许多小尺寸器件物理模型，以满足当前对纳米器件物理特性分析的技术需求 有载流子隧道击穿模型 包括直接隧道击穿 热电子发射诱发的击穿 非局域隧道击穿等 这些模型的引入为分析各类小尺寸效应的特定成因和危害提供了有效的途径 */110 SentaurusD Examples 晶体管 CMOS图像传感器 闪存 SCR结构 电流路径 ESD */110 Sentaurus Device File{……} 定义器件结构的输入文件和输出文件的名称 ………… Thermode{……} 定义器件的电极温度 (可以省略) ………… Electrode{……} 定义器件的电极相关信息 ………… Physics{……} 定义器件过程中使用的物理模型 ………… Plot {……} 定义所有的计算变量 ………… Math{……} 定义DESSIS仿真时算法的设置 ………… Solve{……} 定义电压扫描，仿真电学特性 ………… */110 File{…} Grid = “@tdr@” Parameters = “@parameters@” Output = “@log@” Current = “@plot@” Plot = “@tdrdat@” */110 Electrode{…} *DC simulation Electrode{ { Name=Anode Voltage=0.0 } { Name=Cathode Voltage=0.0 } } 注意：电极的名称要和Structure Editor中定义的电极名称 完全一致！ */110 Physics{…} Physics{ eQCvanDort EffectiveIntrinsicDensity( OldSlotboom ) Mobility( DopingDep eHighFieldsaturation( GradQuasiFermi ) hHighFieldsaturation( GradQuasiFermi ) Enormal ) Recombination( SRH( DopingDep )) } } */110 Plot{…} Plot{ *--Density and Currents, etc eDensity hDensity To