霍尔效应的原理图.pptVIP

若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ，则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为B cosθ，因此 UH=KHIBcosθ 3）P型半导体，其多数载流子是空穴，也存在霍尔效应，但极性和N型半导体的相反。 4）霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比，只要测出UH ，那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。 国产霍尔元件型号的命名方法 二、主要技术指标 1、额定控制电流IC和最大控制电流ICm 霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的控制电流称为额定控制电流IC。在相同的磁感应强度下，IC值较大则可获得较大的霍尔输出。 霍尔元件限制IC的主要因素是散热条件。 随着激励电流的增大，霍尔元件的功耗也随之增大，元件的温度升高，将引起霍尔电势的温漂。因此对霍尔元件要规定最大激励电流。 一般锗元件的最大允许温升ΔTm80℃，硅元件的ΔTm175℃。当霍尔元件的温升达到ΔTm时的电流就是最大控制电流ICm 。 霍尔元件的乘积灵敏度定义为在单位控制电流和单位磁感应强度下，霍尔电势输出端开路时的电势值，其单位为V（AT），它反应了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力，一般希望它越大越好。 3、输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极（简称控制电极）间的电阻值，R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极（简称霍尔电极）间的电阻，单位为Ω。可以在无磁场即B＝0和室温（