Q_632802 QHRJ 021-2018直拉单晶硅.pdf

ICS xx.xxx.xx G xx 备案号： QB/RJ 青海 日晶光电有限公司企业标准 Q/632802 QHRJ 02 1-20 18 直拉单晶硅 Strafa Monoccrystalline silicon 2019-04-15 发布 2019-05-01 实施 青海日晶光电有限公司 发布 Q/632802 QHRJ 02 1-2018 目 次 前 言 II 引 言 III 1 范围 4 2 规范性引用文件 4 4 产品的分类 5 5 技术要求 5 6 试验方法 6 7 检验规则 6 8 标志、包装、运输、贮存 6 I Q/632802 QHRJ 02 1-2018 前 言 本企业标准是根据青海日晶光电有限公司的实际生产情况和国内外用户要求制订的。在制订本标准 过程中, 以现有国家标准G B/T 12962- 2005 《硅单晶》、GB/T 12965-2005 《硅单晶切割片和研磨片》、GB/T 12964-2018 《硅单晶抛光片》标准制定的。 本标准起草单位：青海日晶光电有限公司。 本标准的主要起草人：石天林 陶生贝 刘伟朝 本标准由青海日晶光电有限公司负责解释。 II Q/632802 QHRJ 02 1-2018 引 言 为稳定产品质量，满足国内外光伏行业及其他产业用单晶硅的特殊特性要求，在Ibis Technology 《美国Ibis公司硅单晶产品样本》及GB/T 12962-2005等标准的基础上，青海 日晶光电有限公司根据实际生产情况和国内外客户的要求制定了《直拉法单晶硅》的企 业标准。 III Q/632802 QHRJ 02 1-2018 直拉法单晶硅 1 范围 1.1本标准规定了硅单晶的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、 储存。 1.2本标准适用于直拉制备的单晶硅。本标准规定铸造镁合金的要求、试验方法、检验规则及标志、包 装、运输、贮存。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。本标准发布时，所示版本均为有效。所 有规范性引用文件都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列规范性引用文件的最新版本的可能 性。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅锗单晶电阻率测定 直流二探针法 GB/T 1552 硅锗单晶电阻率测定 直排四探针法