固体表面及界面接触现象(1).pptVIP

* 6.1 表面态 6.2 表面电场效应 §6 固体表面及界面接触现象 * §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 通常把固体与真空之间的分界面叫“表面”，而把不同相或不同类的物质之间的分界面叫“界面”。 本章简单介绍有关表面的最初步的概念。还将介绍不同导电类型的半导体相接触时发生的现象以及金属和半导体接触时发生的现象。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 一、理想表面和实际表面 在无限晶体中插进一个平面，然后将其分成两部分，这个分界面叫“理想表面”。 实际表面可分为清洁表面和真实表面。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 一个没有杂质吸附、也没有氧化层的实际表面叫清洁表面，而日常接触到的大量实际表面哪怕经过了严格的清洗，看起来是“清洁的”，实际上由于环境的影响，表面往往生成氧化物或其他化合物，还可能有物理吸附层，甚至还有与表面接触过的各种物体留下的痕迹，称这种表面为真实表面。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 二、 表面态 周期性势场因晶格的不完整性（杂质原子或晶格缺陷）的存在而受到破坏时，会在禁带中出现附加能级。 当晶体存在表面时，在垂直表面的方向上破坏了原来三维无限晶格的周期性，晶格电子的势能在垂直表面的方向上不再存在平移对称性。 §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 对于有一个表面的半无限晶格，与原来三维无限晶格相比，其哈密顿的本征值谱中出现了一些新的本征值，这就是由于表面的存在而引起的附加电子能态，这些本征值所对应的波函数是沿着与表面垂直的方向向体内指数衰减的，即处于这种状态的电子将定域在表面层中，所以这些附加的电子能态被称为表面态。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 表面态分类： 按理论模型可分为： 塔姆（Tamm）表面态和肖克莱表面态。 按表面类型可分为： 本征表面态和外诱表面态。 按表面态与体内交换的是电子还是空穴可分为： 类受主态和类施主态。 按表面态和体内交换电子的速度可分为： 快态和慢态。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 表面态的概念可以从化学键的角度来说明 硅的理想表面或清洁表面，原子密度为1015cm-2，固悬挂键表面密度也是1015cm-2量级。当硅表面被氧化后，其悬挂键应大部分被饱和，例如在Si/SiO2界面可观察到约1011~1012cm-2的表面态。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.1 表面态 表面态对半导体的各种物理过程有重要影响,表面态的带电将产生一个垂直半导体表面的电场，与此相关的效应将在下一节讨论。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 （一） 半导体表面受外场的影响 在一块与半导体表面平行的平板金属与半导体之间加上外电压V，就会有一个电场（强度E0)作用于半导体表面，这相当于金属与半导体之间构成平板电容器。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 * §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 由于半导体载流子浓度是有限的，要积累一定面电荷就要占相当厚的一层，通常需要几百以至上千个原子间距，称这一带电的半导体表面层为空间电荷区。 在空间电荷区内存在着电势差，称这种半导体几何表面与体内之间的电势差为半导体的表面势，用符号Vs表示。 * §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 半导体表面空间电荷区多数载流子势能陡起的情形称为表面势垒。 而半导体表面（x=0）处与内部（x=d)处的势能之差称为表面势垒高度，势垒高度用符号qVD表示。显然，表面势垒高度 * §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 （二） 表面空间电荷区的电场、面电荷密度和电容 空间电荷层中电势所满足的泊松方程为 通过求解泊松方程，可得到半导体表面处的电场强度为 已知表面电场，根据高斯定理，可以求得表面电荷密度Qs （6-13) (6-14) §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 将式（6-13）代入（6-14）得： 式中：当VS0时，QS取负号；而VS0时,QS取正号。 （6-15) * §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 从式（6-15）可以看到，当Vs改变时，Qs也改变，也就是说表面空间电荷层的面电荷密度Qs随表面势Vs改变而变化，这相当于一个电容效应。可求得微分电容： * §6 固体表面及界面接触现象 6.2 表面电场效应 （三） 各种表面层状态 下面以非简并P型半导体