微纳光电子系统(1章 沾污控制).pptVIP

微纳光电子系统 黄鹰 教授 2014-2-18 第1章 硅片制造中的沾污控制 1.沾污源与控制 2.湿法清洗 3.干法清洗 4.硅片吸杂控制 1.1沾污源与控制 1.1.1沾污控制的三道防线: 环境净化（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 1.1.2、环境净化 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。 高效过滤 排气除尘 超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜：过滤大颗粒，静电吸附小颗粒 泵循环系统 20～22?C 40～46％RH 1.1.3 沾污 1.颗粒粘附 所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源： 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气 特殊设计及材料 定期清洗 超纯化学品 去离子水 风淋吹扫、防护服、面罩、手套等，机器手/人 各种可能落在芯片表面的颗粒 粒子附着的机理：静电力，范德华力，化学键等 去除的机理有四种： 1.氧化分解 2.溶解 3.对硅片表面轻微的腐蚀去除 4.粒子和硅片表面的电排斥 去除方法：SC-1, megasonic（超声清洗） 2.金属的玷污 来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺 量级：1010原子/cm2 影响： 在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降 增