半导体材料研究的新进展.pptVIP

半导体材料与工艺 0.1 序 以集成电路（IC）技术（微电子技术）为代表的半导体技术是近50多年来发展最迅速的技术。 半导体技术?生产生活、国防科技…… （Si、Ge、GaAs、InP、HgCdTe、GaN、SiC……） 半导体技术是衡量一个国家科学技术发展水平的一项重要标志。 半导体与金属、绝缘体之间的界限也不是绝对的。 重掺杂半导体的导电性能与金属类似（可具有正的电阻温度系数）； 在低于1K温度下，有些半导体（如GeTe、SnTe、SrTiO3等）可显示出超导性； 纯净的半导体材料在较低温度下（低于其本征激发温度）下就是绝缘体； 半导体材料并不仅限于固体，也有液态半导体。 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡，即载流子浓度与温度有关。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好——温度对半导体器件的性能影响很大。 半导体中的价电子还会受到光照而激发形成自由电子并留下空穴。光强愈大，光子就愈多，产生的载流子亦愈多，半导体导电能力增强。故半导体器件对光照很敏感。 杂质原子对导电性能的影响将在下面介绍。 二. N型半导体和P型半导体 1. 本征半导体与掺杂半导体 2. N型半导体 当在硅或锗的晶体中掺入微量磷(或其它五价元素)时，磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是 9 ，比稳定结构多一个价电子。 掺入磷杂质的硅半导体晶体中，自由电子的数目大量增加。自由电子是这种半导体的导电方式，称之为电子半导体或N型半导体。 0.4 半导体材料的基本性质 0.4.1 半导体的晶体结构 半导体的晶体结构一般指构成半导体单晶材料的原子在空间的排列形式。（金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、NaCl型） 弗仑克尔缺陷：一定温度下，格点原子在平衡位置附近振动，其中某些原子能够获得较大的热运动能量，克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置，形成间隙原子，原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 肖特基缺陷：由于原子挤入间隙位置需要较大的能量，所以常常是表面附近的原子A和B依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上，而A和B处的空位由晶体内部原子逐次填充，从而在晶体内部形成空位，而表面则产生新原子层，结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。 肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷统称点缺陷。 虽然这两种点缺陷同时存在，但由于在Si、Ge中形成间隙原子一般需要较大的能量，所以肖特基缺陷存在的可能性远比弗仑克尔缺陷大，因此Si、Ge中主要的点缺陷是空位 化合物半导体GaAs中，如果成份偏离正常化学比，也会出现间隙原子和空位。如果Ga成份偏多会造成Ga间隙原子和As空位；As成份偏多会造成As间隙原子和Ga空位。 化学比偏离还可能形成所谓反结构缺陷，如GaAs晶体中As的成份偏多，不仅形成Ga空位，而且As原子还可占据Ga空位，称为反结构缺陷。 此外高能粒子轰击半导体时，也会使原子脱离正常格点位置，形成间隙原子、空位以及空位聚积成的空位团等。 位错是晶体中的另一种缺陷，它是一种线缺陷。 半导体单晶制备和器件生产的许多步骤都在高温下进行，因而在晶体中会产生一定应力。 在应力作用下晶体的一部分原子相对于另一部分原子会沿着某一晶面发生移动，如图1.12(a)所示。这种相对移动称为滑移，在其上产生滑移的晶面称为滑移面，滑移的方向称为滑移向。 实验表明滑移运动所需应力并不很大，因为参加滑移的所有原子并非整体同时进行相对移动，而是左端原子先发生移动推动相邻原子使其发生移动，然后再逐次推动右端的原子，最终是上下两部分原子整体相对滑移了一个原子间距b，见图1.12(b)。 这时虽然在晶体两侧表面产生小台阶，但由于内部原子都相对移动了一个原子间距，因此晶体内部原子相互排列位置并没有发生畸变。 在上述逐级滑移中会因为应力变小而使滑移中途中止，就出现了图1.13(a)所示的情况。 如果中途应力变小使滑移中止，滑移的最前端原子面AEFD左侧原子都完成了一个原子间距的移动，而右侧原子都没有移动，其结果是好像有一个多余的半晶面AEFD插在晶体中，见图1.13(b)。 在AD线周围晶格产生畸变，而距AD线较远处似乎没有影响，原子仍然规则排列，这种缺陷称为位错，它是一种发生在AD线附近的线缺陷，AD线称为位错线。 图1.13中滑移方向BA与位错线AD垂直，称为棱位错。因为它有一个多余的半晶面AEFD像刀一样插入晶体，也称刃形位错 图1.14所示的称为螺旋位错的滑移是沿BC方向，而原子移动沿BA方向传递，位错线AD和滑移方向平行。与刃型位错不同的是，这时晶体中与位错线AD垂直的晶面族不再是一个个平行