第五章-气的相沉积法.pptVIP

2.1 等离子化学气相沉积 （ P-CVD ）： 辉光放电 形成低温等离子体 激活化学气相沉积反应 * 高能量 2.2 等离子体在CVD中的作用： 降低反应温度：将反应物气体分子激活成活性离子； 提高成膜速率：加速反应物在表面的扩散作用； 提高薄膜和基片的附着力：对基片和薄膜具有溅 射清洗作用，溅射掉结合不牢的粒子； 薄膜的厚度均匀：由于原子、分子、离子和电子 相互碰撞 * 2.3 P-CVD的优点： 低温成膜（300-350℃）： 对基片影响小，避免高温带来的膜层晶粒粗大 及膜层和基片间形成脆性相； 提高薄膜质量： 膜厚及成分较均匀、膜层致密 扩大CVD应用范围： 金属、无机、有机聚合物 * （三） MOCVD 利用有机金属化合物的热分解反应进行气相外延生长薄膜的CVD技术。 3.1 原料化合物必须满足： 常温下稳定且容易处理 反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污 染生长层； 室温附近应具有适当的蒸气压 * 满足此条件的原材料有： 金属的烷基或芳基衍生物