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第1章 能带和热平衡载流子浓度 半导体器件物理 半导体器件物理 第1章 能带和热平衡载流子浓度 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第1章 能带和热平衡载流子浓度 * 热平衡状态：给定温度下的稳定状态，且无任何外来扰动（如光照、压力或电场）。给定温度下，持续的热扰动造成电子从价带被激发到导带，同时在价带留下等量的空穴。 当半导体中的杂质数量远小于由热激发产生的电子和空穴时，这种半导体称为本征半导体。 1.5 本征载流子浓度 将N(E)F(E)由导带底端EC积分到导带顶端Etop： 其中，n的单位是cm-3，N(E)是单位体积的能态密度；F(E)是费米-狄拉克分布函数，即费米分布函数，一个电子占据能级E的能态几率。 导带电子浓度计算 * 费米分布函数可近似成： 费米分布函数为 其中，k是玻尔兹曼常数；T是绝对温度，单位为开；EF是费米能级，电子占据率为1/2时的能级能量。 ≈ ≈ 0.5 500K 300K 100K F(E) -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 F(E)在费米能量EF附近呈对称分布。 第1章 能带和热平衡载流子浓度 * 经数学推导可得，导带中的电子浓度为 其中，NC是导带的有效态密度。室温下（300K），对于Si和GaAs，NC分别为2.86×1019cm