物理学毕业论文答辩---南俊.pptVIP

理学院本科生毕业论文答辩 答辩人：南俊 直拉硅中氧扩散机理的研究 简 介 Synopsis 直拉硅中氧扩散机理的研究 毕业论文答辩 本文运用物理专业课所学知识，并在大量查阅学习已有直拉硅中氧扩散理论下，对大直径直拉单晶硅的晶体生长和缺陷性质作了一定的研究。通过对单晶硅的深入认识，从单晶硅的不同制备方法的对照，以及硅中氧的引入、硅中氧的基本性质的分析，得出了影响硅中氧扩散的几种因素， 并分别对各种影响因素的变化趋势和规律做了一定的说明， 总结出了本征点缺陷和氧等杂质原子是硅中各种缺陷形成的基础和源头， RTP能够促进CZ硅片中氧原子的外扩散等。 框 架 Scheme 直拉硅中氧扩散机理的研究 毕业论文答辩 晶体缺陷及单晶硅的简介 单晶硅的制备方法：1. 区熔法（FZ）2. 直拉法（CZ） 直拉硅单晶中的氧：1.硅中氧的引入2.硅中氧的基本性质 硅中氧扩散的影响因素：1. 硅中氧的扩散系数2.热处理（普通）气氛对氧扩散的影响3.RTP温度和时间对氧扩散的影响4.空位对高温热处理氧扩散的影响 结论 程 序 Program 直拉硅中氧扩散机理的研究 毕业论文答辩 1. 区熔法（FZ） 2. 直拉法（CZ） 区熔法是运用硅熔体具有较大的表面张力(熔点时为736mN/m)和较小的密度(液态时为2.55