Q_DGE 8-2018MC型半导体发光二极管详细规范.pdf

ICS 31.080.99 L 53 备案号：QB/440600 31 3724-2018 Q/DGE 佛山市国星光电股份有限公司企业标准 Q/DGE 8-2018 代替Q/DGE 8-2015 MC 型半导体发光二极管详细规范 2018-07-08 发布 2018-07-08 实施 佛山市国星光电股份有限公司 发布 Q/DGE 8-2018 前 言 本标准参照GB/T 1.1-2009作为编制的起草规则，并参照GB/T 18904.3-2002 《半导体器件第12-3 部分：光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范》的规定格式进行编写。技术指标结合国外同类产 品的技术参数和本公司产品的性能特点进行编写。 本标准代替Q/DGE 8-2018 《MC型半导体发光二极管详细规范》标准，与Q/DGE 8-2015相比无变化。 标准的附录A、附录B、附录C、附录D、附录E、附录F是标准的规范性附录。 本标准起草单位：佛山市国星光电股份有限公司。 本标准主要起草人：李程、袁毅凯、潘利兵、谢志国、李军政、蔡连章、赵漫 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——Q/DGE 8-2009 《SL型LED面光源详细规范》 ——Q/DGE 8-2012 《MC型半导体发光二极管详细规范》 ——Q/DGE 8-2015 《MC型半导体发光二极管详细规范》 I Q/DGE 8-2018 MC 型半导体发光二极管详细规范 本标准规定了MC型半导体发光二极管的详细要求。 佛山市国星光电股份有限公司 Q/DGE 8-2018 评定电子元器件质量的依据： GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成 电路总规范 GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范 详细规范用于： MC 型半导体发光二极管 订货资料：见本规范第 7 章 1 机械说明 2 简略说明 外形标准：参照《产品规格书》 类型：板上芯片封装 m 行 n 列多芯片集成面光源 外形图：见本规范 10.5 半导体材料：InGaAlP、InGaN、GaP 、GaAs 、GaAsP、 引出端识别：见本规范 10.5 AlGaAs 等 标志：见本规范第 6 章 封装：陶瓷或金属基板、硅胶、硅树脂、键合线、荧 电路图：见本规范 10.6 光粉等 行列组合定义：见本规范 10.6 芯片：多芯片 应用：各种照明、显示、装饰用 3 质量评定类别 Ⅰ类 参考数据： 见本规范10.4或《产品规格书》