Q_KDGD 02-2018发光二极管（LED）照明模块.pdf

Q/KDGD 长兴科迪光电股份有限公司企业标准 Q/KDGD02—2018 发光二极管 （LED）照明模块 2018-05-10 发布 2018-05-31 实施 长兴科迪光电股份有限公司 发布 Q/KDGD02—2018 前 言 本标准根据GB/T1.1-2009 《标准化工作导则第1 部分:标准的结构和编写》的规定进行起草。 本标准由长兴科迪光电股份有限公司提出并起草。 本标准附录A 为规范性附录。 本标准主要起草人:董学文、闻耀发、陈江明、闻 昱、魏周杨、林佳艳。 本标准为首次发布。 Q/KDGD02—2018 发光二极管 （LED）照明模块 1 范围 本标准规定了发光二极管(LED)照明模块(以下简称LED 照明模块)的定义、产品分类、技术要求、 检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于本公司生产的LED 照明模块的设计、制造、质量检验、性能测试、验收及使用。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研 究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB2423.1 电工电子产品环境试验第2 部分: 试验方法试验A: 低温 GB 2423.2 电工电子产品环境试验第2 部分: 试验方法试验B: 高温 GB 2423.3 电工电子产品环境试验第2 部分试验方法试验Cab:恒定湿热试验 GB 4943-2011 信息技术设备的安全 GB/T 6388 运输包装收发货标志 GB/T 6587-2012 电子测量仪器通用规范 GB/T 6593 电子测量仪器质量检验规则 GB/T 11463 电子测量仪器可靠性试验 GB/T 6587-2012 电子测量仪器通用规范 3 术语和定义 本标准采用下列术语和定义。 3.1 半导体(Semiconductor) 指导电性介于导体和绝缘体中间的材料,可以分为P 型和N 型。 3.2 P-型半导体(P-type Semiconductor) 在硅(Si)或锗(Ge)基板中掺入(Doping)化学周期表第3A 组的元素,如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等, 此元素仅有三个价电子,和拥有四个价电子的硅结合配对时,有一结合键会缺少一个电子无法成对, 称为「电洞(Hole)」,电子带负电(Negative Electricity),缺少电子时会带正电(Positive Electricity),称为「P 型半导体」。 3.3 N-型半导体(N-type Semiconductor) Q/KDGD02—2018 在硅(Si)或锗(Ge)基板中掺入(Doping)化学周期表第5A 组的元素,如氮(N)、磷(P)、砷(As)等, 此元素有五个价电子,和拥有四个价电子的硅结合配对时,会多出一个电子,该电子称为「自由电子 (Free Electron)」,电子带负电(Negative Electricity),称为「N 型半导体」。 3.4 二极管(Diode) 二极管(Diode),是由P 型半导体和N 型半导体接合而成。顺向(P toN)电流可以流动,逆向(N to P)电流不会流动。 3.5 发光二极管(Light Emitting Diode) 发光二极管(Light Emitting Diode),简称「LED」,就是通电流可以发光的「二极管(Diode)」。 3.6 LE