第九章MOS集成电路2.ppt

* 多晶硅栅（生长栅氧化层） * 多晶硅栅（淀积多晶硅） * 多晶硅栅（涂胶 ? 曝光 ? 显影 ? 刻蚀多晶硅） * 多晶硅栅（刻蚀栅氧化层） * P沟道MOSFET源漏扩散区 （涂胶?曝光?显影?注入P型杂质） * P沟道MOSFET源漏扩散区 （去光刻胶?退火?去氧化层） * N沟道MOSFET源漏扩散区 （涂胶?曝光?显影?注入N型杂质） * N沟道MOSFET源漏扩散区 （去光刻胶?退火?去氧化层） * 互连线 （淀积氧化层?涂胶?曝光?显影?刻蚀接触孔?去光刻胶） * 互连线 （溅射第一层金属?涂胶?曝光?显影?刻蚀第一层金属互连线?去光刻胶） * 互连线 （淀积绝缘层?涂胶?曝光?显影?刻蚀通孔?去光刻胶） Polyimide：聚酰亚胺，聚合物 具有强度高,绝缘性优良,耐高温, 耐辐射,耐腐蚀等性能。可用作耐高温绝缘材料 * 互连线 （溅射第二层金属?涂胶?曝光?显影?刻蚀第二层金属互连线?去光刻胶） * 互连线 （淀积绝缘层?涂胶?曝光?显影?刻蚀通孔?去光刻胶） * 互连线 （溅射第三层金属?涂胶?曝光?显影?刻蚀第三层金属互连线?去光刻胶） * 互连线 （淀积钝化层?涂胶?曝光?显影?刻蚀压焊区?去光刻胶） * 9-7 版图举例 * * 金属 多晶硅 有源区 接触孔 VDD VOUT VIN 0V 离子注入 E/D 倒相器 * 例3： * VDD VOUT VIN 0V 金属 有源区 多晶硅 接触孔 阱区 例4：CMOS 倒相器 * P－Si n＋ n＋ 铝栅： D/S S/D 间隔 2、刻栅，预刻引线孔 3、刻引线孔 4、反刻AL 1、漏源光刻 G * 3、两层半布线 铝栅工艺：AL层、扩散层：两层布线 硅栅工艺： AL层 多晶Si层 扩散0.5层 两层半 扩散层之所以只有0.5层，是因为在做扩散层时多晶Si起掩膜作用，扩散层不能与多晶Si层交叉。 P－Si n＋ n＋ 这里不可能有扩散层 * 三、CMOS 铝栅工艺 CMOS工艺是当代VLSI的主流工艺技术，其特点是将NMOS器件与PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 CMOS工艺技术一般可分为三类，即 P阱CMOS工艺 N阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 * CMOS是在PMOS工艺基础上于1963年 发展起来的，因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件下，制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制备PMOS器件，采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器件，在当时成为最佳的工艺组合。 考虑到空穴的迁移率比电子迁移率要低近2倍多，且迁移率的数值是掺杂浓度的函数(轻掺杂衬底的载流子迁移率较高)。因此，采用p阱工艺有利于CMOS电路中两种类型器件的性能匹配，而尺寸差别较小。 P阱CMOS工艺 * P阱CMOS工艺 P阱工艺用离子注入或扩散的方法在N型衬底中掺进浓度足以中和N型衬底并使其呈P型特性的P型杂质，以保证N沟道器件的正常特性。 P阱杂质浓度的典型值要比N型衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有害的影响，如提高了阈值电压，增加了源极和漏极对P阱的电容等。 * P阱CMOS工艺 电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之间的相互隔离。 P阱CMOS的基本结构： * N－Si N－Si N－Si P－ P－ 1、场区氧化， P－阱光刻（MK1） 2、阱区B＋注入及 再分布 （注入之前要注入氧化） 3、刻PMOS的漏源区 和P型隔离环（MK2） * N－Si P－ p+ p+ p+ p+ n+ n+ VDD P型隔离环的作用： VDD ● ● ● ● S S P管 N管 防止形成寄生沟道 * N－Si P－ P＋ 4、B扩散 * 5、刻NMOS漏源区和N型隔离环 N－Si P－ p+ p+ p+ p+ * N－Si P－ p+ p+ p+ p+ n+ n+ n+ n+ 6、P扩散 * 7、刻栅，预刻引线孔 N－Si P－ p+ p+ p+ p+ n+ n+ n+ n+ * N－Si P－ p+ p+ p+ p+ n+ n+ n+ n+ 8、栅氧化 * N－Si P－ p+ p+ p+ p+ n+ n+ n+ n+ N