电磁场与电磁波第二章：静电场.pptVIP

静电场综合例题分析3 同轴电缆的内导体半径为a，电位为V0，外导体的半径为b，接地，两导体间充满介电常数为ε的均匀电介质 ，如图。试求： 1 导体间的电位分布； 2 内导体的表面电荷密度； 3 单位长度的介质内所储存的电 场 能； 4 单位长度的电容 内导体表面的电荷面密度为 5、若须求介质在内、外导体界面处的束缚电荷面密度σP，可由 注意这里所有的电荷都是真实电荷。 引入恒等式： 有： 当取整个积分空间时，由于 而 从而得到： 因此，第一项积分为零。 单位体积的能量密度为： 所以，总的电场能可表示为 用能量密度公式，再来计算带电球的电场能量。 已知带电金属球的半径为a，带电量为q 则球外的电场强度为 能量密度为 球外总的电场能 与前面计算的结果一致。 如图所示，半径为a的导体球和半径为C（c＞a）的同心导体球壳，中间部分填充两种不同介电常数的电介质，它们的分界球面的半径为b。 Example 2.16 （1）求两导体间的电容； （2）若内外两导体分别带有电荷+q和-q。求两层介质中所存储 电场能We，并由此计算该导体系统的电容。 解： （1）求两导体间的电容 为便于分析，内外两导体分别带有电荷+q和-q。 根据系统的球对称性，直接用高斯定律 可求出介质中的电位移分布： 由此，两层介质中的电场强度分别为 于是，两导体间的电压为 所以，电容为 （2）先求介质中的电场能 在上述电荷分布的情况下，介质1中的电能密度为 同样，介质2中的电能密度为 两层介质中总的电场能为 根据电容与电场能的关系式： 可得到与前一样的结果 2、静电力 静电力的计算——虚位移法 原则上．带电导体之间的静电力可用库仑定律来计算。这里介绍另外一种计算方法，在力学中用物体位能的空间变化率来计算力，有时是很方使的。这便是虚位移法。 （1）位移过程中，带电体的电荷不变 带电系统充电后与外电源脱离。假设系统内如果某一导体因受静电力的作用引起某种位移、（由于此时电源已脱离），位移所需的功应由电场能付出，即 所以，静电力等于电位能量的空间减少率 例如：一个半径为R、带电量q为常量的孤立球导体充电后与电源断开，其静电能量为： 球面上总的静电力 单位面积受力 该结果可用下面的图来解释 导体表面的静电力 小块所占居的空间 在没有位移前， 其电场能为 位移后，该能量消失，即 单位面积受力 （2）位移过程中，带电体的电位不变 为使电位不变，导体系统内各导体必须保持与外加电源相连 如果其一导体发生位移，则必然引起所有导体上的电荷量变化。 故外界电源要作功，所作之功 电源提供的能量一半用于电场储能，另一半用来静电力作功 此时的静电力计算为 例如：假定半径为R的孤立导体球的电位为常数φ=U，总的静电能量为 故静电力 结果与q为常数时完全一致 阅读P72例题，注意电介质片所受静电力方向的物理规律 部分填充电介质的电容器 本章小结 1、静电场的两个基本变量及本构关系 恒定电场两个基本变量间的关系 2、静电场的基本方程为： 恒定电场的基本方程 3、静电场E可用电位函数来表示。无界空间内的电位函数为 均匀导电介质没有净电荷 （体电荷的电位） 4．在均匀电介质中电位函数的微分方程 泊松方程： 拉普拉斯方程： 在满足给定边界条件的情况下，泊松方程或拉普拉斯方程的解是唯一的。 5、在不同介质的分界面上 在界面上无自由电荷时 或 电场的折射关系： 在不同的导电媒质交界面上 另外 6、静电场能量 导体系统的能量为 由场变量计算的电场能 在导电媒质内恒定电场中电场储能密度为 损耗密度(功率密度）为 7、导休或介质所受到静电力可以电场能量的空间变化率（虚位 移法）求出。 本章作业题： ex 2.6；2.9；3.3；3.4；3.5；3.9；3.12；3.13（4）；3.16；3.19；3.20；3.21；3.24；3.27；3.33；3.35； 根据量子理论，氢原于中心是一个带正电qe的原子核(可看成是点电荷)，外面是带负电荷的电子云。在正常状态下，电子云的电荷密度分布是球对称的 例题1 (a0为常数) 求原子内的电场分布。 设在原于内距原于核为r处的场强为E，E沿径向，具有球对称性。以核为球心,r为半径作一高斯球面S，通过此面的E的通量为: 解： 高斯面S内的电荷量的代数和为 根据高斯定理 例题2 一个半径为a的介质球,其介电常数为ε,均匀带电荷体密度为ρ， 放置于无界的空气中. （1）求球内外的电场强度分布； （2）求球心处的电位。 求介质球表面的束缚电荷面密度ρsp和球内束缚电荷体 密度ρp 解: (1)求球内外的电场强度分布 由带电系统的对称