第四讲 场效应管.pptVIP

4.2.3 各种FET的特性比较 4.2 MOS场效应管 1、各种FET的特性比较 ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S G D S G D S 2、 uDS的极性决定于沟道性质，N沟道为正，P沟道为负。 3、 uGS的极性 ①JFET的uGS与uDS极性相反； ②增强型MOSFET的uGS与uDS极性相同； ③耗尽型MOSFET的uGS可正、可负或为0。 uGS(off)0 uGS(th)0 uGS(th)0 uGS(off)0 N沟道漏极电流从D→S；P沟道漏极电流从S→D。 1、 符号的箭头方向：N沟道FET箭头向内，P沟道FET箭头向外。 4、 转移特性曲线 (P147) ？1. uGS＝0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ ？2. uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ ？3. uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 2、FET与BJT的比较 β较大，放大能力较强 gm较小，放大能力较弱 放大能力 制造工艺 结构对称性 导电机理 直流输入电阻 控制方式 工艺复杂，功耗高，集成度较低 工艺简单，功耗低，利于大规模集成 结构不对称，C-E不可以互换 结构对称，D-S可以互换 双极型器件，两种载流子：噪声大，温度稳定性差 单极型器件，一种载流子：噪声小，温度稳定性好 发射结正偏，输入电阻较小， iB≠0 输入电阻很大，栅极不取电流iG≈0 电流控制型器件iB控制iC （β） 电压控制型器件uGS控制iD（gm） BJT FET 这是一个放大电路， 这个电路交直流并存。 直流电路：保证FET工作在恒流区； 交流信号源： uS为待放大的信号。 问题：如何求解支路电流 iG, iD, iS？ 如何求解FET的极间电压 uGS, uDS？ 解决方法： 应用叠加原理 用直流等效电路求解直流量： 用交流等效电路求解交流量： IG, ID, UGS, UDS ig, id, ugs, uds 问题：①直流电路中FET如何处理？ ②交流电路中BJT如何处理？ 注意利用栅极不取电流的特点：IG＝0 , ID=IS 用FET的交流小信号模型代替FET。 RD RS ED + uS - EG iD + - uDS iG + - uGS 4.3 场效应管的交流小信号模型 4.2 MOS场效应管 G D S G D S G D S 共源（CS）组态 共漏（CD）组态 共栅（CG）组态 一、FET的基本组态： 下面以共源组态的N沟道JFET为例，推导FET的交流小信号模型。 S G D id + - uds + - ugs iG 二、 FET的交流小信号模型 自变量取：uGS、uDS; 应变量取：iG、iD 输入、输出端口的V－A关系分别为： 在Q点对iD进行全微分得: - uds + ugs gmugs - + rds FET低频小信号线性模型 G D id S 模型特点：栅极断开；为电压控制型器件。 适用场合：该模型适用于工作在中、低频段的FET，而且与FET的类型和组态无关。 - uds + ugs gmugs - + rds FET低频小信号线性模型 G D id S （过好器件关） 阶段小结 一、半导体器件有什么特点？ PN结为基本结构单元，为非线性器件； 参数的分散性； 对温度的敏感性； 结电容效应； 二、器件符号认识了吗？ ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S G D S G D S a k a k b c e b c e * * * 双极型三极管：Bipolar Junction Transistor 只有一种极性的载流子参与导电. 三极管 有两种极性的载流子参与导电. 单极型三极管 (场效应管)：Field Effect Transistor 场效应管的分类： 结型（JFET）： 绝缘栅（IGFET）： N沟道/P沟道 MOSFET 增强型： 耗尽型： N沟道/P沟道 N沟道/P沟道 学习方法建议：（将FET和BJT进行类比学习） 结构 工作原理 特性曲线 主要参数 小信号模型 ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S G D S G D S 1、JFET工作时有什么要求和特点？ 三个电极的电流关系如何？ 2、JFET的输出特性曲线可以分为哪几个区域？ 在哪个区域它可以实现放大控制作用？ 3、什么叫转移特性曲线？它的主要参数是什么？ 你能写出曲线的方程吗？ 4、已知JFET三个电极的电位，如何