后摩尔定律第二组.pptxVIP

陈子坤 小组成员 柯明 林方平;后摩尔定律;。 ;。 ;后摩尔定律;。 ;IC发展方向;在摩尔定律的范畴，ITRS指出，2010年的技术节点是45纳米，2013年为32纳米，到2015年将进一步缩小为25纳米，2016年为22纳米；估计到 2018年将会接近硅CMOS技术的极限。其内容包括设计方法、系统级设计、逻辑电路和物理设计、设计验证、可测试设计、可制造设计等6个领域。另外，在新的工艺和新材料方面将来也会取得突破性进展，如沟道替换、绝缘体上硅等新技术，包括除高K金属栅材料外的其他新材料等;。 ;。 ;后摩尔定律;后摩尔时代封装技术;因为相比于线封装和倒封装技术而言，该方法在提供布局灵活度、提高能量和空间效率上它是通更具优势。TSV就是所谓的三维互联技术，过贯穿一个或多个芯片的垂直互联实现芯片的堆叠，并且如集成电路部件般配合运作。;后摩尔时代封装技术;后摩尔时代封装技术;后摩尔时代封装技术;谢谢观看