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第五章 红外探测器 信息科学与工程学院 冯传胜 Email: fcs@ 本章目录 5.1 红外探测器的分类和基本原理 5.2 红外探测器的噪声 5.3 红外探测器的性能参数 5.4 弱信号的探测方法 5.1 红外探测器的分类和基本原理 5.1.1 红外探测器的分类 根据工作温度分： 低温探测器：需要用液态He、Ne、N2致冷 中温探测器：工作温度195~200K，需要热电致冷 室温探测器：工作于室温下 根据响应波长分： 近红外、中红外、远红外探测器 根据结构和用途分： 单元探测器、多元阵列探测器和成像探测器。 根据探测机理分： 热探测器 光子探测器 5.1.2 热探测器 热探测器是根据入射辐射的热效应引起探测材料某一物理性质变化而工作的一类探测器。 一、测辐射温差热电偶(Thermocouple)和热电堆(Thermopile) 热电偶是利用温差电效应制成的红外探测器。 温差电效应： 当把两种具有不同温差电动势率的金属丝或半导体细丝连结成一封闭环时，若用红外辐射照射一个结点(暴露结)，它因吸收入射辐射而升温，于是与另一结点(参考结)出温差，在环内产生温差电动势。根据温差电动势的大小(取决于辐射引起的结点温差)则可测出红外辐射功率。 多个热电偶串联在一起，就构成测辐射热电堆。 二、金属和半导体热敏电阻(Thermistance)测辐射热器 利用某些金属或半导体材料的电阻率随温度有较大变化而制成的探测器。 当吸收辐射而温度升高时 金属的电阻率增加，说明它有正温度系数。 半导体的电阻率减小，说明它有负温度系数。 根据电阻变化的大小可测出吸收的红外辐射功率。 三、热释电探测器(Pyroelectric detector) 有些晶体(如热释电晶体)一般具有自发极化现象有，而且自发极化随温度的升高而下降。 热平衡状态时，自发极化被晶体内杂散电荷中和。当吸收红外辐射而升温时，引起自发极化强度变化，从而使垂直于自发极化方向的晶体两个表面之间出现自由电荷，当两端接一电阻就会有电流穿过电阻而出现电压，放大后可用来检测投射到晶体表面上的红外辐射功率。 四、气动探测器 当红外辐射投射到一定质量的吸收气体上时，引起气体升温，从而导致体积膨胀，或者气体体积一定时，导致压强增大。 以一定方式记录气体体积或压强变化，则可以制成探测入射辐射的气动探测器。 如微音探测器和高莱盒等。 五、总结：热探测器的特点 理论上与辐射的光谱无关，是一种无选择性的探测器。实际上，探测器材料对红外辐射的吸收与波长有关，因此会有实际的光谱响应。 热探测器的响应时间较长(一般为几ms或更长)。时间响应最好的热探测器是热释电探测器，可工作于几百kHz之上。 5.1.3 光子探测器 红外光子探测器是利用入射 的光子流与探测材料中的电子之间直接相互作用，从而改变电子能量状态，引起各种电学现象，并统称为光子效应(或光电效应)。 一、光电子发射(PE)探测器 外光电效应： 当辐射照射到某些金属、金属氧化物或半导体材料表面时，如其光子的能量hv足够大，则足以使材料内一些电子 完全脱离材料而从表面逸出，这种现象叫光电子发射，也叫外光电效应。 利用外光电效应制成的探测器就是光电子发射探测器。 常用器件有真空光电二极管和光电倍增管。 优点是响应快；缺点是受材料的限制大，目前材料只能适合近红外辐射的探测。 Ag-O-Cs: 1.25um Na-K-Cs-Sb: 0.9um 二、光电导(PC)探测器 光电导效应(属于内光电效应)： 半导体吸收能量足够大的光子后，会把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态转变到能导电的自由状态，从而使半导体的电导率增加，这种现象称为光电导效应，属于内光电效应。 利用光电导效应探测辐射的器件称为光电导(PC)探测器。(目前使用最多，应用面最广的探测器) 有两种类型： 多晶薄膜形式: PbS: 1~3um, PbSe: 3~5um 单晶形式: 本征光电导器件：InSb(3~5um),HgCdTe(8~14um) 杂质光电导器件：一般可响应较长的波长 三、光伏(PV)探测器 光生伏特效应： 当半导体吸收能量足够大的光子后，如果在产生光生载流子的地方存在势垒(如有p-n结)，则靠势垒静电场的作用，会把自由电子和空穴分开，即电子漂移到n区，空穴漂移到p区。于是，当p区和n区处于开路状态时，两端就产生电压。当p-n区短路时，就产生反向电流，这种现象称为光生伏特效应。 利用光生伏特效应制成的探测器就是光伏探测器。如光电池、光电二极管和光电三极管。 光电池工作时不加偏值电压。器件用单晶材料构成。 光电二极管一般工作时加反向偏压。常用的有p-n结光电二极管和pin结光电二极管。 对于经专门设计的Si或Ge等p-n结或pin结，加上较大的反向电压，则在结区附近吸收能量足够大的光子后，能在结