位移电流-麦克斯韦方程组-2015.pptVIP

位移电流 电磁场基本方程 一、位移电流 问：变化的电场能否产生磁场？ 变化的磁场能产生感生电场 交流电 1、位移电流假设 ?设电容器极板的面积S，板上电荷面密度s  S I 传导电流的大小 而 所以 把 称为位移电流密度 将 称为位移电流 左边是导线中的传导电流，右端是由于电场变化在电容器极板间产生的“电流”，称为位移电流。这就是麦克斯韦提出的著名的位移电流假说 共同点: 都可以在空间激发磁场 Id — 本质是变化的电场， I — 是电荷的定向运动； I — 通过导体时会产生焦耳热， Id —不会产生焦耳热； Id —可以存在于真空、导体、电介质中， I — 能存在于导体中。 位移电流与传导电流的比较: 不同点： ?对稳恒电流的磁场，有安培环路定理 I 是穿过以Ｌ回路为边界的任意曲面Ｓ的传导电流。 Ｓ Ｌ I 1、安培环路定理遇到的问题 二、全电流安培环路定理 对于稳恒电路，传导电流 I 是闭合的，取任意回路Ｌ，穿过以Ｌ为边界的任意曲面Ｓ的传导电流都相等 稳恒电路 非稳恒电路 对非稳恒电流，如电容器充放电时的电路，在以Ｌ为边界的环路上作两个曲面 S1 和 S2 出现了矛盾，说明安培环路定理在非恒定场中必须修正。 非稳恒电路 不等 ! 对于普遍的情况，麦克斯韦认为 I 和 I d 都可能存在，他提出了全电流的概念： I 和 I d 之和称为全电流，用IT表示 对于任何电路，全电流是处处连续的。 运用全电流的概念，可以自然地解释清楚电容器充放电过程中电流的连续性问题。 I I d 借助于位移电流和全电流的概念，麦克斯韦把安培环路定理推广到变化的电磁场也适用的普遍形式，得到 称为全电流定律。 在真空中安培环路定理表示成更为简洁的形式 此式揭示了变化的电场可以激发磁场 （1）两极板间的位移电流强度；（2）对电容器充电的电流强度；（3）极板间距两极板圆心连线为r 点的磁感应强度的大小。 例题1：在真空中，半径为R 的两块圆板构成一平板电容器，在电容器充电时，两极板间电场的变化率为dE/dt，求： 解：（1）位移电流强度 由定义，通过变化电场中某一截面S的位移电流为 平板电容器内的电场为均匀场，所以 （2）对电容器充电的电流强度 可以看到：I d 和IC大小相等。 （D = ?0 E） σ是极板上电荷面密度 对平板电容器，有σ = D ，所以 （3）根据安培环路定理 在电容器中取一半径为r的同心回路，通过它的是部分位移电流，所以有 由B和H的关系，得 将位移电流代入，得 ? 三、麦克斯韦方程组 麦克斯韦提出的涡旋电场和位移电流假说的核心思想是：变化的磁场可以激发涡旋电场，变化的电场可以激发涡旋磁场。 麦克斯韦进一步将电场和磁场的所有规律综合起来，建立了完整的电磁场理论体系。电磁场理论体系的核心就是麦克斯韦方程组 麦克斯韦方程组的积分形式 麦克斯韦方程组中的第一个方程描述了电场的性质。在一般情况下，电场可以是库仑电场也可以是变化磁场激发的感应电场，而感应电场是涡旋场，它的电位移线是闭合的，对封闭曲面的通量无贡献。 第二个方程描述了磁场的性质。磁场可以由传导电流激发，也可以由变化电场的位移电流所激发，它们的磁场都是涡旋场，磁感应线都是闭合线，对封闭曲面的通量无贡献。 第三个和第四个方程描述了变化的电场和磁场相互激发的规律。