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位错理论II——位错的运动 朱旻昊 材料先进技术教育部重点实验室 2006年3月 * 目录 位错的滑移 位错的攀移 位错运动对晶体体积的影响 * Slip of dislocation 位错的滑移——位错运动的主要方式 位错滑移的定义： 位错线在它和柏氏矢量b构成的晶面上的移动。 位错滑移模型： 位错是靠位错线上的原子或附近畸变区的原子，逐排逐排地移动而进行的。 与经典刚性滑移模型（理论剪切强度）存在显著差异。 可解释晶体剪切强度的实验数据。 * Slip of dislocation * Slip plane 位错滑移面与晶体滑移面的关系： 位错线和b ?位错滑移面——可滑移面 晶体滑移面——原子密排面——易滑移面 只有在可滑移面上的位错才可能进行滑移。 只有当可滑移面同时又是易滑移面时，滑移才容易进行。 * Slip plane 对刃位错：只有一个确定的滑移面 因为：b⊥ds. ?仅决定1个平面 若此滑移面是晶体滑移面，滑移在很小的外加切应力作用下很容易进行；否则需要较大外力作用。 * Slip plane 对螺位错： 因为：b∥ds. ? 决定无数个平面 所以：易发生交滑移。 * Slip direction 位错的滑移方向 位错线的滑移方向是位错线的法向 又因为：总有 b∥t的方向 刃型位错：滑移方向与外力t和b一致；正、负刃位错的滑移方向相反。 * * Slip direction 位错的滑移方向 位错线的滑移方向是位错线的法向 又因为：总有 b∥t的方向 螺型位错：滑移方向与外力t和b垂直；左、右螺位错的滑移方向相反。 * * Slip direction 位错的滑移方向 位错线的滑移方向是位错线的法向 又因为：总有 b∥t的方向 混合位错：滑移方向与外力t和b成一夹角。 * Slip of dislocation * Slip of dislocation * Slip of dislocation 位错滑移量与晶体滑移量的关系 一个位错扫过滑移面后，相对滑移了b 产生切应变： 若N个位错同时滑移，第N个位错扫过的面积为Si 此时位错引起的变形量为： 对N个位错： * * 设位错平均长度为l，平均移动距离为Dy 所以： 所以总切应变为： * 目录 位错的滑移 位错的攀移 位错运动对晶体体积的影响 * Climb of dislocation 位错攀移定义： 位错在垂直于滑移面上的方向上运动。 实质：是多于半原子面在垂直于位错线的方向上扩张或缩小。 攀移的实现： 通过原子或空位的转移。 只有刃位错才能实现。 * Climb of dislocation 正攀移： 原子从多于半原子面转移至别处 空位转移至多于半原子面下端 负攀移：相反 * Climb of dislocation 攀移的影响因素： 由于攀移需原子扩散，因此不能整条位错线同时攀移，只能一段一段地进行?位错线的攀移过程使位错线形成折线 因攀移时原子扩散需要提供热激活，所以T↑?攀移↑；一般低温下，攀移困难。 * Climb of dislocation 攀移的影响因素： 作用于多于半原子面上的应力为拉应力时促进位错线发生负攀移； 作用于多于半原子面上的应力为压应力时促进位错线发生正攀移。 过饱和空位促进位错攀移。 * 目录 位错的滑移 位错的攀移 位错运动对晶体体积的影响 * 位错运动：小结 位错运动的结果：不引起晶体结构的变化，只引起晶体缺陷组态与分布的变化 一旦位错运动移走?晶格畸变消失 * 位错运动引起的晶体体积变化 设柏氏矢量为b的位错：长度为dl，在法向为n的晶面上扫过dD的距离 所以： * 位错运动引起的晶体体积变化 讨论1： 即： b在n的方向上无分量（如图中刃位错） 位错的保守（守恒）运动：位错运动不引起晶体体积变化的运动 * 位错运动引起的晶体体积变化 讨论2： 有： 位错的非保守（守恒）运动： 攀移——发生晶体体积变化