EPIR其制备方法说明书1112.docVIP

PAGE PAGE 7 说 明 书 EPIR效应电阻式非易失性随机存储材料及其制备方法和用途 技术领域 本发明涉及随机存储材料及制备方法，特别是EPIR效应电阻式随机存储材料及其制备方法和用途。属于新型信息电子材料领域。 背景技术 非易失性存储器（NVM ）是指在电源切断后，所存储的信息不会丢失的一种存储器件。非易失性存储器广泛应用于计算机、汽车、家用电器、通讯、网络和自动控制等现代工业领域。20 世纪50 年代以来，相继发明了掩膜只读存储器（ROM ）、电可擦写只读存储器（EPROM ）、电可写可擦只读存储器（EEPROM ）以及快闪存储器（FLASH ）等非易失性存储器。近些年来，随着计算机运算性能的提高及微型化趋势，新型的非易失性存储器，如铁电存储器（FRAM ）、磁性存储器（MRAM ）和相变存储器（OUM ）的研究得到了快速发展。 针对信息市场的发展趋势，具备读写速度快，成本低，制作简单，存储密度高，具有无限擦写、耗电量低等特点的非易失性存储器是未来的发展方向。目前的情况是没有任何一类存储技术可以完全达到上述要求，所以世界上主要的半导体和信息材料生产厂商都在加紧研发更新型的非易失性存储器。 2000年美国Texas超导和空间外延中心报道了具有钙钛矿结构的Pr1-xCaxMnO3(PCMO)薄膜室温下电阻对电脉冲信号产生灵敏反应，其开关效应能长久保持．其后，日本和其他一些实验室也对电脉冲信号的开关效应进行了深入的实验研究，发现在其他一些钙钛矿结构氧化物或有机材料中也有类似的效应．在室温和不加磁场情况下，当持续时间为100 ns的正脉冲电压加在PCMO薄膜上，样品的电阻值急速下降表现出低电阻状态(R=Rmin )，并能长久稳定保持因电脉冲诱导的电阻状态．当反向施加脉冲电压，电阻转变为高阻态(R=Rmax)．这种可逆的高低阻的相对改变值为电脉冲引起的现象为EPIR效应（EPIR，Electric-pulse Induced resistance switching）。由于PCMO薄膜具有EPIR效应，使其相应的I-V 关系曲线中出现了明显的迟滞现象。近年来的实验研究表明，这种室温下电脉冲导致的电阻值变化转变速度快，可逆，非易失，并且薄膜尺寸可以做的相当小，满足新一代高密度，高速度和低能耗存储器件的要求，引起了人们的极大兴趣。 但是，目前具有EPIR 效应的体系材料较少，大多局限于PCMO（Pr1-xCaxMnO3） 体系和LCMO（La1-xCaxMnO3）体系（其中绝大多数研究集中于x = 0.3 组分）。研究表明，EPIR 效应可能相当复杂，涉及了Re1-xAxMnO3材料的本征电输运性质以及电极与薄膜接触形成的势垒在外电场作用下的变化等领域。要完全解释这个现象的物理机理，还需要进行大量的研究。而以EPIR 效应为基础制作RRAM器件的困难也在于具有这一性质的材料体系较少，使得在器件化时缺少可选择性，对规模化应用具有很大的限制性。 中国专利200810036885.5公开了用溶胶-凝胶法制备非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法，其成分是：Re1-xCexMnO3，式中0＜x＜1，Re，Ce均为稀土离子。它是属于RCMO体系材料。它的高低电阻态之间电阻值的差别较大，最大可以达到5-6个数量级，利于实现多层存储。但是它的高低阻态之间发生变化的驱动电压比较高，需要电压10 V以上，这将会使RRAM随机存储器的功耗高。 发明内容 本发明的目的在于提供驱动电压比较低的EPIR效应电阻式随机存储材料的配方及其制备方法和用途。 本发明是这样实现的。它是一种钙钛矿结构的锰氧化物，其通式为Re1-xAxMnO3,其具体通式为：Nd1-xSrxMnO3，0＜x＜1,称其为NSMO体系； La0.4-yYyCa0.6MnO3，0＜y＜0.4, 称其为LYCMO体系； La0.4-zYbZCa0.6MnO3，0＜z＜0.4, 称其为LYbCMO体系； La0.4-gSc gCa0.6MnO3，0＜g＜0.4, 称其为LSCMO体系； 它是采用固相反应法制备的单相钙钛矿结构的锰氧化物。 本发明EPIR效应电阻式随机存储材料的制备方法为： 1）、分别将纯度为99.99% 稀土氧化物、99% 碳酸盐、97.5% MnO2的各组分氧化物进行干燥； 2）、按化学计量比称取干燥后的各组分氧化物，加入少量无水乙醇并充分混合研磨均匀； 3）、将充分混合研磨均匀的物料在900 ℃ 4）、在12 Mpa压力下压成厚度1～5 mm，直径10～20 mm的圆片，在1300～1400℃烧结12小时，然后随炉冷却 5）、将充分研磨均匀的物料在4 Mpa压力下压成方形薄片，然后在1400℃ 本发明提供了新型的具有EPIR效应的NSMO、LYCMO、LYb