模拟电子技术基础试卷-第一章复习.pdfVIP

题目部分，(卷面共有67题,205.0分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(40小题,共132.0分) (4分)[1]晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射 为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置 ， C、零偏置 (2分)[2]1。NPN和PNP型晶体管的区别取决于____ A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同， D、P区和N区的位置不同。 2．N沟道和P沟道场效应管的区别在于____ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N型，后者为 P型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。 (2分)[3]晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____；集电结为____， 流过集电结的主要是____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置， D、扩散电流， E、漂移电流 (3分)[4]硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大____。 A、约10％， B、小于10％ ， C、大于10％ (1分)[5]N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子