Q_RS0001-2019半导体分立器件MXTPD01T2型碳化硅紫外探测器详细规范.pdf

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2019-10-26 发布于湖南
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L50 Q/DX 北京科益虹源光电技术有限公司企业标准 Q/RS 0001-2019 半导体分立器件 MXTPD01T2 型碳化硅紫外探测器详细规范 2019-04-11 发布 2019-04-11 实施北京科益虹源光电技术有限公司发布 Q/RS 0001—2019 目录前言 II 半导体分立器件MXTPD01T2 型碳化硅紫外探测器详细规范 1 1. 范围 1 2. 规范性引用文件 1 3. 产品型号 1 4. 要求 1 4.1 使用环境 1 4.2 外观 1 4.3 尺寸 2 4.4 性能特性 2 4.5 高低温循环 2 4.6 环境适应性 2 5. 试验方法 2 5.1 试验条件 2 5.2 外观检查 2 5.3 尺寸和重量检查 2 5.4 电参数测试 2 5.5 高低温循环试验 3 6. 检验规则 3 6.1 检验分类 3 6.2 检验项目 3 6.3 出厂检验 3 6.4 型式检验 3 6.4.1 型式检验规定4 6.4.2 型式检验项目4 6.4.3 型式检验的抽样与判定规则4 7. 标志、包装、运输、贮存4 7.1 标志、标签4 7.2 包装4 7.3 运输4 7.4 贮存4 I Q/RS 0001—2019 前言本标准规定了半导体分立器件碳化硅紫外光探测器MXTPD01T2 （以下简称器件）的详细要求。本标准由北京科益虹源光电技术有限公司归口。本标准起草单位：北京科益虹源光电技术有限公司、北京时代民芯科技有限公司。本标准主要起草人：王华、辛茗。本标准为首次发布。 II Q/RS 0001—