硅基底多层薄膜结构材料残余.pdfVIP

No．1 第27卷第1期 实验力 学 V01．27 2012年2月 EXPERIMENTALMECHANICS Feb．2012 JOURNAl。OF 文章编号：1001—4888(2012)01—0001—09 硅基底多层薄膜结构材料残余 应力的微拉曼测试与分析。 邓卫林1，仇巍1，焦永哲1，张青川2，亢一澜1 (1．天津大学，天津市现代工程力学重点实验室。天津300072， 2．中国科学技术大学，中科院材料力学行为和设计重点实验室，合肥230027) 摘要：针对MEMS器件刺备中两种典型的硅基底多层薄膜结构的残余应力问题，本文提出了利 用微拉曼光谱技术测量其残余应力的方法，分析并给出了硅基底多层薄膜结构中的残余应力分 布规律。实验结果表