再结晶和晶粒长大知识分享.pptVIP

第三节 再结晶和晶粒长大 ; 一、初次再结晶 ;图10 在400℃NaCl晶体，置于470℃再结晶的情况 ;一般储存在变形基质中的能量约为0.5～1Cal／g的数量级，虽然数值较熔融热小得多(熔融热是此值的1000倍甚至更多倍)，但却足够提供晶界移动和晶粒长大所需的能量。;图11 烧结温度对AlN晶粒尺寸的影响; 二、晶粒长大 ;小晶粒生长为大晶粒．使界面面积减小，界面自由能降低，晶粒尺寸由1μm变化到lcm，相应的能量变化为0．1-5Cal/g。 ;图12 晶界结构及原子位能图 ;图13 烧结后期晶粒长大示意图 ; ; ;推动力; 二次再结晶发生后，气孔进人晶粒内部，成为孤立闭气孔，不易排除，使烧结速率降低甚至停止。因为小气孔中气体的压力大，它可能迁移扩散到低气压的大气孔中去，使晶界上的气孔随晶粒长大而变大。;图14 由于晶粒长大使气孔扩大示意图;产生原因;但是，并不是在任何情况下二次再结晶过程都是有害的。 在现代新材料的开发中常利用二次再结过程来生产一些特种材料。如铁氧体硬磁材料BaFel2019的烧结中，控制大晶粒为二次再结晶的晶核，利用二次再结晶形成择优取向，使磁磷畴取向一致，从而得到高磁导率的硬磁材料。