纳米电子学第三章.pptxVIP

第3章纳米电子器件输运理论 3.1引言 电子器件的性能决定于其中电子的输运特性，而电子输运特性与材料的能带结构密切相关。在一个特定的能带结构中，载流子运动可能包括多种复杂的物理过程。为了计算器件的IV特性，需要建立器件的输运模型。模型应当包括两个方面信息。 (1)特定器件材料的能带结构与参数 能带结构决定于组成器件的特定材料以及特定的材料界面和结构。例如，在异质界面处，能带会产生偏移和变化(如弯曲)。载流子的输运模型需要尽量精确的载流子有效质量等由能带结构所决定的材料参数。 ;(2)适当形式的输运理论 该理论必须能够模拟器件的主要输运过程。在模型中总是要进行简化、近似和数值离散化，但是，这些处理不能违反基本的物理规律和量子力学原理。可是，在实际上，有些简化和近似常常危及某一原理。 按照第一性原理的观点，纳米器件一般来说是一个开放量子系统，在其中电子 起码可以在某一维方向运动。而且是与时间相关的。同时，输运具有时间不可逆性和耗散性。输运过程中还存在多体作用。器件与周围的环境既存在粒子交换也存在能量交换。所以电子器件作为一个物理系统与简单的孤立量子系统有很大的区别，后者可以具有守恒的哈密顿量，对薛定谔方程加上适当的边界条件，相对较容易求解。而适用于这种开放器件系统的易子计算的通用多体形式的量子理论尚没有建立起来。对于特定器件的某些性质的计算可以不用通用的多体理论。实际