脉冲激光沉积法制备ZnO基薄膜研究进展.pdfVIP

维普资讯 第 23卷 第 l期 量 子 电 子 学 报 Vb1．23 No．1 2006年 1月 CHINESEJOURNALOFQUANTUMELECTRONICS Jan．2006 文章编号 1007-5461(2006)01—0001—09 脉冲激光沉积法制备 ZnO基薄膜研究进展 董伟伟， 陶汝华， 方晓东 (中国科学院安徽光学精密机械研究所， 安徽 合肥 230031) 摘 要 ：作为一种新型的 II-VI半导体材料， ZnO具有优良的光学和电学性能，在紫外光发射器件、自旋 功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景 首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的 一 些相关内容，然后从材料制备角度着重阐述了目前利用脉冲激光沉积法 (PLD)制备 ZnO基薄膜的若干重 要研究方向，例如 P型掺杂、P-n结的制备、Mg掺杂、Cd掺杂和磁性离子掺杂等。 关键词 ： 激光技术；半导体材料；脉冲激光沉积法； ZnO基薄膜 中图分类号 ：0484．1 文献 标识码 ：A 1 引 言 近年来，由于蓝光和紫外光等短波长发光器件和激光器的巨大市场需求，对宽带隙半导体材料的研究 越来越受到人们的重视 作为一种新型的II．VI族宽禁带半导体材料，ZnO的室温禁带宽度约为3．37eV， 激子束缚能高达60MeV，理论上可以实现室温激子发光，并有望在紫外光、蓝光、蓝绿光等多种发光器件 中得到应用 由于ZnO薄膜在可见光范围内的透过率一般大于80％，可用作太阳能电池的透明电极和窗口 材料以及液晶显示等；此外，ZnO薄膜具有 良好的压电性能，可用作压电换能器和表面声波器件 (SAW)； 由于ZnO薄膜光电导随表面吸附的气体种类和浓度不同会发生很大变化，因此它可以用作气敏传感器； ZnO和GaN的a轴失配度为 1．9％，C轴方向仅为0．4％，且二者具有相似的晶格特性，因此 ZnO可以作为 生长高质量GaN薄膜的缓冲层 [h引。 由于在许多领域中需要材料以薄膜的形式存在，因此对于 ZnO这种同时具备多种优异性能的薄膜材 料，人们尝试采用多种方法制备，如喷雾热解法 (spraypyrolysis)、化学气相沉积法 (CVD)、磁控溅射法 (magnetronsputtering)、分子束外延法 (MBE)、溶胶 -凝胶法 (sol—ge1)、电沉积法 (electr0dep0sm0n)、 脉冲激光沉积法 (pulsedlaserdeposition)等 其中，脉冲激光沉积法相比于其它的薄膜制备方法具有以下 优点： 1)脉冲激光束能量高，溅射出来的粒子出射动能大，有利于提高薄膜质量；2)在一定的激光能量密 度范围内，制备出薄膜的化学成分与靶材一致；3)靶材制备方便，便于成分调整；4)工艺参数独立可调， 可精确控制化学计量，薄膜的平整度高，易于实现多层膜的生长；5)可以在较低的基板温度下沉积多种 成分复杂，对结构要求严格的薄膜；6)加上机械传动系统，可在大面积基板上制备均匀的薄膜 本文主要从材料制备角度介绍了近年来采用脉冲激光沉积法制备ZnO基薄膜的若干重要研究进展。 2 脉冲激光沉积法制备 ZnO基材料 2．1ZnO 的基本性能 ZnO是直接带隙半导体材料，为极性晶体，有六方相和立方相两种晶型。表 1列出了六方相 ZnO的 基金项 目：中国科学院安徽光机所资助项目 收稿 日期 ：2004—112； 修改日期 ：2004—12—21 E—mail：wwdong@aiofm ．ac．cn 维普资讯 2 量 子 电 子 学 报 23 卷 一 些基本参数 在实验所能达到的锌和氧的 Table 1 PhysicalparametersofhexagonalZnO 分压下，一般生成的单晶ZnO薄膜 由于晶体 品格类