光刻与刻蚀工艺课件完整版.pptVIP

李乃平：P164～5。 刻蚀铬膜：李乃平P172。 1、反差、过渡区：李乃平P169。 2、掩模版清洗方法：P238。 3、缺陷密度：施敏P58。 1、用蓝光波长计算：投影曝光系统的R可达亚微米水平。 2、数值孔径又叫做镜口率，简写为N.A。它是由物体与物镜间媒质的折射率n与物镜孔径角的一半（a\2）的正弦值的乘积，其大小由下式决定：N.A=n*sin a/2数值孔径　　数值孔径简写NA(蔡司公司的数值孔径简写CF)，数值孔径是物镜和聚光镜的主要技术参数，是判断两者（尤其对物镜而言）性能高低(即消位置色差的能力,蔡司公司的数值孔是代表消位置色差和倍率色差的能力),的重要标志。其数值的大小，分别标科在物镜和聚光镜的外壳上。数值孔径（NA）是物镜前透镜与被检物体之间介质的折射率（η）和孔径角（u）半数的正玄之乘积。用公式表示如下：NA=ηsinu/2 孔径角又称“镜口角”，是物镜光轴上的物体点与物镜前透镜的有效直径所形成的角度。孔径角越大，进入物镜的光通亮就越大，它与物镜的有效直径成正比，与焦点的距离成反比。　　显微镜观察时，若想增大NA值，孔径角是无法增大的，唯一的办法是增大介质的折射率η值。基于这一原理，就产生了水浸系物镜和油浸物镜，因介质的折射率η值大于一，NA值就能大于一。　数值孔径最大值为1.4，这个数值在理论上和技术上都达到了极限。目前，有用折射率高的溴萘作介质，溴萘的折射率为1.66,所以NA值可大于1.4。　这里必须指出，为了充分发挥物镜数值孔径的作用，在观察时，聚光镜的NA值应等于或略大于物镜的NA值，　数值孔径与其它技术参数有着密切的关系，它几乎决定和影响着其它各项技术参数。它与分辨率成正比，与放大率成正比，焦深与数值孔径的平方成反比，NA值增大，视场宽度与工作距离都会相应地变小。 * 1、在涂胶后的光刻胶薄膜中，溶剂质量一般占总质量的20－40％，而经前烘的光刻胶薄膜中一般只含有3－8％的溶剂。 2、如果光刻胶中的溶剂含量较高，显影时其溶解速度相应较快。对于正胶来说，就会导致非曝光区的光刻胶因溶解而变薄，使光刻胶的掩蔽能力下降。 3、前烘温度：过低＆过高，具体影响。P214。 通过曝光（可见光或其它射线），光刻胶在显影液中的溶解度发生改变，这是光刻胶的工作原理。 准分子：解释。P231。 1、对准：对准标记；自动对准机。芯片制造P155～6。 驻波效应：解释。P228。 曝光后烘焙（PEB）是另一种减小驻波效应影响的方法。尽管在机理方面仍存在一些争议，但它使脊状条纹平坦化的作用还是得到认可的。一般认为，经曝光和曝光后烘焙，非曝光区光刻胶中的感光剂会向曝光区扩散，从而在两区域边界形成平均的曝光效果。 光刻胶与显影液之间相互反应的特性在很大程度上决定了光刻胶的形状，控制了线宽的大小。此外，显影后留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子注入工艺中作为掩模，因此显影可以说是光刻工艺中最关键的步骤之一。 ，而通用显影液以氢氧化钠水溶液和主要成分为0.25M 四甲基氢氧化铵（TMAH）的溶液最常见 芯片制造：P170。 1、人工检验（1倍检验）：直射白光或高密度UV光下，晶片与光线成一定角度。全检； 2、100－400倍显微镜下：随机抽样。 3、高倍显微镜／SEM／AFM。 此外，自动检验。 经 UV 光学稳定后的光刻胶，其抗刻（腐）蚀能力可以增强40％。 1、经刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为掩蔽保护层，因此可以将光刻胶从衬底表面除去，这一步骤称为去胶 2、以使用氧等离体为例，光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态CO、CO2和H2O可以由真空系统抽走。 1、使用更昂贵的材料：如将光波波长减小到157nm 要用到超纯硅和氟化物。 2、导致像差增加：只能通过更复杂的设计、更精确的镜片制造工艺来克服。 3、光刻胶本身有一定厚度，实际工艺过程中晶片表面也存在高低不平，为了把掩模版上的图形完美转移到光刻胶上，要求曝光系统具有足够的聚焦深度，特别是对于大直径晶片的生产。通常聚焦深度越大，越适合量产。？ 4、一般來說， 半導體業者會先嘗試調整NA來改善解析 度， 待聚焦深度無法符合量產條件時， 才會想要轉換波長更短的光源。這是因為每換一種曝光源，相關的設備如曝光機台、 光阻劑等皆需做相應的調整，會牽涉到大量的人力、物力及時間，困難度很高。有鑑於此，在進入更小線寬的微影技術領域前，如何善用目前的微影技術(含設備及材料)，又能進入奈米尺度，成為一個相當重要的議題。 施敏：P62。 相移掩模的基本原理是在光掩模版的某些透明图形上增加或减少一个透明介质层（称为移相器），使光波通过这个介质层后产生180?的相位差，与邻近透明区域透过的光波产生相消干涉，从而抵消图形边缘的光衍射效应，提高曝