半导体器件模拟课件.ppt

半导体器件模拟 半导体与绝缘体之间的界面 ?DI: 在此界面上需遵守微分形式的Gauβ定律。 εsem及εint分别表示半导体及绝缘体的介电常数; Qint表示界面电荷。当与厚绝缘体，例如场氧化交界时，人们经常假设绝缘层中垂直于界面的电场成分为零，故(5.1-21)式简化为 一般也忽略界面电荷的存在。于是(5.1-22)式简化为静 电势的Neumann边界条件：(如图5.1-1中，B-E表示一个 界面。 * 半导体器件模拟 在几个M0S模拟程序中，绝缘体中的Laplace方程 不用显式解。若只有垂直于界面的一维势能降， 则导致界面上静电势的混合边界条件： UG表示栅接触C-D上的静电势；tins是绝缘层C-B的厚度。 显然，编写混合边界条件(5.1-24)的程序比解绝缘层中 的Laplace方程更为容易。然而，假如与绝缘层厚度相比， 界面B-E的长度不是足够大的话，就我们的经验而论，由 此引起的误差大到不可容忍的程度。 * 半导体器件模拟 对于连续性方程，垂直于界面的电流成分应等于表面复合率RSURF. 通常总是假设无限大的表面复合速度，从而忽略表面复合的存在，这就导致边界条件(5.1-17)、(5.1-18)。在某些特定器件与工作条件时，这种假设是合理的。 * 半导体器件模拟 根据前面的概述，我们还需处理人为边界条件。此处，或者假设