模拟电子技术第一章半导体基础新.pptVIP

模拟电子技术基础 主讲人： 王 波 办公室： 4#248 电 话： PN结的单向导电性 PN结正偏时的正向电流是扩散电流，数值较大,此时容易导电； 3、PN结的击穿特性 其他类型二极管 1、发光二极管：当外加正向电压使的正向电流足够大时，二极管开始发光。发光二极管也具有单向导电性，它的开启电压比一般的二极管大。颜色不同，发光二极管的开启电压不同。一般红色的在1.6—1.8V之间，绿色的为2V左右。 （1） 势垒电容CB PN结中空间电荷的数量随外加电压变化所形 成的电容称为势垒电容。 PN结电容 势垒电容 扩散电容 4、 PN结的电容效应 S：PN结面积 d：PN结宽度 ε：半导体介电常数 非平衡少子在扩散过程中存在浓度差，扩散区内积累的电荷量随外加电压变化而变化，所形成的电容称为扩散电容 。 （2） 扩散电容 CD I：正向电流 UT：温度电压当量 τ：非平衡少子的寿命 PN结的结电容CJ为势垒电容CB与扩散电容CD之和，即 CJ=CB+CD 符号 阳极 阴极 1.2 半导体二极管 + SiO2保护层 P型区 — 平面型 N型硅 PN结 点接触型 + 触丝 N型锗 支架 外壳 — PN结 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 U / V 1.2.2 二极管的伏安特性 一、正向特性 阈值电压Uth:使二极管开始导通的电压 硅管Uon=0.5V 锗管Uon=0.1V 导通电压： 硅(0.6～0.8)V (取0.7V） 锗(0.1～0.3)V (取0.2V） I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth U / V 二、反向特性 加反向电压时，反向电流很小。 （与电压基本无关） I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth 三、击穿特性 当二极管承受的反向电压超过击穿电压UBR后，反向电流急剧增加。 几十 0.1—0.3 ≈0.1 锗 0.1 0.6 — 0.8 ≈0.5 硅 反向饱和电流（?A） 导通电压 （V） 开启电压UON （V） 材料 两种不同材料构成的二极管的比较: 1.2.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最大反向工作电压UR 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由PN结 面积及散热条件决定。 二极管在使用时所允许加的最大反向电压，通常为击穿电 压的一半。 3、反向电流IR 4、最高工作频率fM 二极管未击穿时的反向电流值。 主要由PN结的结电容大小决定。超过此值，单向导电性变差。 二极管的应用范围很广,它可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。 1.2.4 半导体二极管的型号及选择 一、半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 数字表示器件的电极数 拼音字母表示器件的材料和极性 拼音字母表示器件的类别 数字表示序号 拼音表示 规格号 2CP10: N型硅材料 小信号 二极管。 二、选用二极管的一般原则 1、要求导通后正向压降小的选锗管；要求反向电流小选硅管。 2、工作电流大时选面接触型；工作频率高时选点接触型。 3、反向击穿电压高时选硅管。 4、要求耐高温时选硅管。 1.2.5 二极管的等效电路 一、理想二极管等效模型 I/ mA U / V 符号： 正偏时压降为零； 反偏时电流为零。 二极管具有非线性的伏安特性，为便于分析，在一定条件下，对其进行线性化处理，建立二极管的“线性模型”。根据二极管的不同工作状态及分析精度的要求，可选择不同的模型。 二、理想二极管恒压源模型 符号： Uon 只有正偏电压超过导通电压，二极管才导通，其两端电压为常数；否则二极管不导通，电流为零。 Uon是二极管的导通电压 I/ mA U/ V Uon 0 除直流信号外，又引入微小变化的信号，可以用伏安特性在Q处的切线近似表示实际的这段曲线。 此切线斜率的倒数为二极管在Q处的动态电阻等效电阻 三、微变信号模型 UDQ △ID I/ mA U/ V △UD IDQ Q △U + - △ID rd 动态电阻与直流工作点位置有关 1.2.6半导体二极管应用举例 1、串联限幅电路 二极管与负载电阻串联 Ui负半周或数值小于导通电压，二极管截止， uo＝ 0 ui正半周且数值大于导通电压，二极管导通， 2、并联限幅电路 二极管与负载电阻并联 ui正半周且数值大于导通电压， 二极管导通， uo＝ Ｕon Ui负半周或数值小于导通电压， 二极管截止， uo＝ ui 3、双向限幅电路